[发明专利]自旋轨道转矩型磁化旋转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件以及磁存储器

权利要求书

1.一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其特征在于，

具备：

自旋轨道转矩配线；以及

层叠于所述自旋轨道转矩配线的层叠体，

所述层叠体从所述自旋轨道转矩配线侧起，依次具备第一铁磁性层、含氧化物层和第二铁磁性层，

所述含氧化物层包含非磁性元素的氧化物，

所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层铁磁性耦合。

2.根据权利要求1所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其特征在于，

所述第一铁磁性层的易磁化轴与从所述自旋轨道转矩配线向所述第一铁磁性层注入的自旋的方向交叉。

3.根据权利要求1或2所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其特征在于，

所述含氧化物层所包含的所述氧化物的所述非磁性元素包含选自Al、Si、Mg、Ti、Cr、Cu、Mo、Ru、Rh、Pd、Hf、Ta、W、Re、Ir、Pt、Bi中的至少一种。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其特征在于，

所述含氧化物层的膜厚为1.0nm以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其特征在于，

所述含氧化物层所包含的所述氧化物相对于化学计量组成缺氧。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其特征在于，

在所述含氧化物层与所述第二铁磁性层之间插入有防扩散层。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其特征在于，

所述第一铁磁性层的膜厚比所述第二铁磁性层的膜厚厚。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其特征在于，

所述第二铁磁性层包含选自Co、Fe、B中的至少一种元素。

9.一种自旋轨道转矩型磁阻效应元件，其特征在于，

具备：

权利要求1～8中任一项所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件；

层叠于所述层叠体的与所述自旋轨道转矩配线为相反侧的非磁性层；以及

与所述层叠体夹持所述非磁性层的第三铁磁性层。

10.一种磁存储器，其特征在于，

具备多个权利要求9所述的自旋轨道转矩型磁阻效应元件。