[发明专利]耦合光的光学芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种制造用于在光学芯片与另一光学器件之间耦合光的光学芯片的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供晶圆，所述晶圆包括基板和设置在所述基板上的包层；

蚀刻所述包层，以在蚀刻包层的至少一个侧壁上形成光学面；

蚀刻所述基板，以形成至少一个基板侧壁，所述基板侧壁由与所述光学面成一条直线且相邻的第一截面构成；

从所述基板的背面去除所述基板的至少一部分，以将晶圆进行切割，使所述光学芯片的所述基板侧壁具有与所述光学面成一条直线或从所述光学面凹入的第二截面，其中所述晶圆的所述背面是所述晶圆与所述包层相对的一侧。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在单个光刻步骤中蚀刻所述包层和所述基板，和/或

所述蚀刻包层用作用于蚀刻所述基板的掩模。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

通过蚀刻深度为100－500μm，具体为250－350μm，和宽度为10－40μm的沟槽来蚀刻所述基板。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在蚀刻所述基板之后，所述方法还包括：

将所述晶圆从其背面进行刀片切割，形成至少一个光学芯片，所述光学芯片具有光学面和基板侧壁，所述基板侧壁的所述第二截面从所述光学面凹入。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

将所述晶圆进行切割，使所述基板侧壁的所述第二截面从所述光学面凹入0－100μm，具体凹入0－50μm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在蚀刻所述包层和所述基板之前，所述方法还包括：

将所述晶圆从其背面削薄，其中

对所述基板的蚀刻包括将整个削薄晶圆蚀刻穿，以形成具有光学面和基板侧壁的至少一个光学芯片，所述基板侧壁与所述光学面完全成一条直线。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在蚀刻所述包层和所述基板之后，

将所述晶圆从其背面削薄，从而将所述晶圆进行切割，形成至少一个光学芯片，所述光学芯片具有光学面和基板侧壁，所述基板侧壁与所述光学面完全成一条直线。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

将所述晶圆的厚度削薄为100－500μm，具体为250－350μm。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

将所述晶圆的厚度削薄为100－500μm，具体为250－350μm。

10.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：

将另一光学器件黏贴到至少所述光学芯片的所述基板侧壁的所述光学面和所述第一截面。

11.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括：

将另一光学器件黏贴到至少所述光学芯片的所述基板侧壁的所述光学面和所述第一截面。

12.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：

将另一光学器件黏贴到至少所述光学芯片的所述基板侧壁的所述光学面和所述第一截面。

13.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：

将另一光学器件黏贴到至少所述光学芯片的所述基板侧壁的所述光学面和所述第一截面。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其特征在于，

所述基板上的所述包层包括或设置有锥形截面，

蚀刻所述锥形截面，以向所述光学面逐渐变小。

15.一种用于在光学芯片与另一光学器件之间耦合光的光学芯片，其特征在于，所述光学芯片通过权利要求1至14中任一项所述的方法获得。