[发明专利]半导体模块及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体模块，该半导体模块包括：

绝缘性基板；

电路图案，其形成于该绝缘性基板上；

半导体元件，其接合于该电路图案上；以及

密封树脂，其密封所述绝缘性基板、所述电路图案以及所述半导体元件，

该半导体模块的特征在于，

对于所述绝缘性基板的表面的、位于所述绝缘性基板与所述密封树脂密合的部分处的部分，在所述绝缘性基板的剖面中，利用下述方法测量并计算出的、在宽度300μm的范围内求得的平均粗糙度为0.15μm以上2μm以下，且在宽度3μm的范围内求得的平均粗糙度为0.02μm以上0.1μm以下，

其中，平均粗糙度的测量和计算方法为：

利用扫描电子显微镜拍摄所述绝缘性基板的剖面而准备SEM图像，使所述SEM图像二值化而准备表面形状的图像数据，使用图像数值化软件将所述图像数据转换为二维坐标数据，利用下述数学式计算并求得平均粗糙度Za：

[式1]

在上述数学式中，Za表示平均粗糙度；Zn表示各n的所述二维坐标数据与平均值之差；N是用测量宽度除以测量间距得到的值，计算宽度300μm的粗糙度时，设为间距＝0.5μm，即N＝600，计算宽度3μm的粗糙度时，设为间距＝0.005μm，即N＝600。

2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，

所述绝缘性基板与所述密封树脂密合的部分包含所述绝缘性基板的周缘部。

3.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，

对于所述绝缘性基板的表面的、位于所述绝缘性基板与所述密封树脂密合的部分处的部分，在所述绝缘性基板的剖面中，在宽度300μm的范围内求得的平均粗糙度为0.7μm以上。

4.根据权利要求2所述的半导体模块，其中，

对于所述绝缘性基板的表面的、位于所述绝缘性基板与所述密封树脂密合的部分处的部分，在所述绝缘性基板的剖面中，在宽度300μm的范围内求得的平均粗糙度为0.7μm以上。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体模块，其中，

所述绝缘性基板为陶瓷制。

6.根据权利要求5所述的半导体模块，其中，

所述绝缘性基板由氮化铝形成。