[发明专利]真空处理装置及支撑轴

说明书

本发明的真空处理装置进行等离子体处理，具有：电极凸缘，在腔室内与高频电源连接；簇射极板，具有与所述电极凸缘相对的第一面和与所述第一面相反侧的第二面，所述簇射极板与所述电极凸缘分离相对并与所述电极凸缘一同作为阴极；处理室，面向所述簇射极板的所述第二面，并且供被处理基板配置；和支撑轴，与所述簇射极板的所述第一面连接并支撑所述簇射极板。在所述簇射极板上形成有多个气体流路，该多个气体流路从所述电极凸缘与所述第一面之间的空间连通到所述处理室，并且具有规定的电导率，在所述支撑轴与所述簇射极板连接的部分，以所述电导率在所述簇射极板的面内方向上不发生变化的方式设置有沿所述支撑轴的轴向延伸的轴气体流路。

技术领域

本发明涉及真空处理装置及支撑轴，特别是涉及适于在进行等离子体处理时的簇射极板的支撑中使用的技术。

本申请基于2018年6月20日在日本申请的专利申请2018-117043号要求优先权，并且在此援引其内容。

背景技术

作为在成膜工艺或蚀刻工艺中利用的放电方式之一，具有使用电容耦合等离子体(CCP)的方式。例如，在使用该方式的CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)装置中，阴极和阳极相对配置，在阳极上配置有基板，向阴极供应电力。并且，通过在阴极与阳极之间产生电容耦合等离子体，在基板上形成膜。另外，为了将放电气体均匀地供给到基板上，作为阴极，有时使用设置有多个气体喷出口的簇射极板(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本专利公开2005-328021号公报

然而，在使用簇射极板的电容耦合方式中，有时阴极和阳极越趋向大型，则基板面内的电极间距离(阴极与阳极之间的距离)的偏差越大。由此，有时基板上形成的膜的膜质在基板面内的偏差变大。

为了解决该问题，有必要使簇射极板的支撑更加牢固，近年来，从成膜特性及降低颗粒的要求出发，避免在腔室内使用镍合金类，伴随与此，担心用于支撑簇射极板的支撑部分的强度不足。

如上所述，在为了维持用于支撑簇射极板的支撑部分的强度，加大支撑部分的面积及簇射极板的面内方向上的支撑面积的情况下，会闭塞作为气体通道的贯穿孔。

在该情况下，在簇射极板的支撑部分附近，发生向基板侧供给的气流在簇射极板面内不均匀的状态，在该部分，基板上形成的膜的膜质在基板面内的偏差有时会变大。

另外，为了得到良好的膜质，设置于阳极的基板被配置在加热器上。因此，由于簇射极板因来自基板及加热器的受热而成为高温，从而因热膨胀及弹性率的下降而产生簇射极板的热变形，簇射极板面内的电极间距离的偏差有时会变大。由此，基板上形成的膜的膜质和膜厚分布在基板面内的偏差有时会变大。

为了防止发生如上所述的偏差，希望提高簇射极板的支撑部分的强度。

此外，针对上述问题，由于随着所处理的基板的大型化，还需要加大簇射极板，因此有必要进一步提高簇射极板的支撑部分的强度。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而提出的，想要实现以下目的。

1、使阴极与阳极之间的电极间距离的偏差更均匀。

2、防止在簇射极板面内发生气流不均匀的状态。

3、维持簇射极板中的充分的支撑强度。

4、防止成膜特性的下降。

5、防止颗粒发生的增加。