[发明专利]半导体装置以及其工作方法在审
申请号: | 201980007097.X | 申请日: | 2019-01-11 |
公开(公告)号: | CN111542880A | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 国武宽司;本田龙之介;热海知昭 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | G11C11/4074 | 分类号: | G11C11/4074;G11C5/14;G11C7/04;G11C11/405;G11C29/50;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/786 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;姜冰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 工作 方法 | ||
1.一种半导体装置,包括:
第一晶体管;
第一电容器;
第一输出端子;
第一开关;以及
第二开关,
其中,所述第一晶体管的栅极与源极电连接,
所述第一电容器的第一端子及所述第一输出端子与所述第一晶体管的背栅极电连接,
所述第一电容器的第二端子与所述源极电连接,
所述第一开关控制向所述背栅极的第一电压的输入,
所述第一晶体管的漏极被输入第二电压,
并且,所述第二开关控制向所述源极的第三电压的输入。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中所述第一开关及所述第二开关都是在沟道形成区域中包括金属氧化物的晶体管。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中所述第一晶体管是n沟道型晶体管,
所述第一至第三电压是恒定电压,
并且所述第一晶体管呈现常开启特性,并以使所述漏极和所述源极之间的电压大于0V的方式设定所述第二电压及所述第三电压。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中所述第一晶体管是p沟道型晶体管,
所述第一至第三电压是恒定电压,
并且所述第一晶体管呈现常开启特性,并以使所述漏极和所述源极之间的电压小于0V的方式设定所述第二电压及所述第三电压。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置,还包括具有背栅极的第二晶体管,
其中根据从所述第一输出端子输出的第四电压,输入到所述第二晶体管的背栅极的电压产生变化。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置,还包括第三晶体管,
其中根据从所述第一输出端子输出的第四电压,输入到所述第三晶体管的栅极的电压产生变化。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置,还包括第二电容器、电流电压转换电路以及放大电路,
其中所述第二电容器的第一端子与所述第一输出端子电连接,
所述第二电容器的第二端子与所述电流电压转换电路的输入端子电连接,
并且所述放大电路放大从所述电流电压转换电路输出的第五电压并输出第六电压。
8.根据权利要求7所述的半导体装置,
其中所述电流电压转换电路是源极跟随电路。
9.根据权利要求7所述的半导体装置,
其中在温度上升时,所述第六电压减少。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的半导体装置,
其中所述放大电路是运算放大器。
11.根据权利要求7至10中任一项所述的半导体装置,还包括具有背栅极的第四晶体管,
其中根据所述第六电压,输入到所述第四晶体管的背栅极的电压产生变化。
12.根据权利要求7至10中任一项所述的半导体装置,还包括第五晶体管,
其中根据所述第六电压,输入到所述第五晶体管的栅极的电压产生变化。
13.一种权利要求1至12中任一项所述的半导体装置的工作方法,包括如下步骤:
使所述第一开关及所述第二开关开启;
使所述第一开关开启,并使所述第二开关关闭;
使所述第一开关关闭,并使所述第二开关关闭;以及
使所述第一开关关闭,并使所述第二开关开启。
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