[发明专利]先进的接触孔图案化的方法

权利要求书

1.一种形成具有接触开口的图案化的掩模的方法，所述方法包括：

在基板的工作表面上形成柱的浮雕图案，所述柱从所述基板的工作表面突出；

执行修改所述柱的形状的重新成形处理；

在所述基板上沉积第一共形膜，所述第一共形膜包括硬掩模材料；以及

执行如下平坦化处理，所述平坦化处理将柱向下去除至所述基板的工作表面，从而留下所述基板的工作表面上的第一共形膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述重新成形处理包括缩小所述柱的宽度和高度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述重新成形处理包括减小每个柱的表面的边缘粗糙度值。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述重新成形处理包括使每个柱结构的顶表面变圆。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述重新成形处理包括去除材料从而得到半球形形状。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一共形膜被沉积成产生厚度小于15纳米的膜。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一共形膜被选择成具有大于100:1的相对于所述柱的材料和给定的蚀刻剂的抗蚀刻率。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在沉积所述第一共形膜之前，共形地沉积第一界面膜，其中，所述第一共形膜沉积在所述第一界面膜上。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，能够通过各向同性蚀刻去除所述界面膜。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一共形膜覆盖柱的未覆盖表面和所述基板的工作表面。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一共形膜的硬掩模材料选自由以下项构成的组：铪氧化物、硼氮化物、硅氮化物、铝氧化物、钛氧化物和钛氮化物。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一共形膜的硬掩模材料是含金属的材料。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述重新成形处理包括减小所述柱的表面粗糙度值。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述重新成形处理包括：将所述柱从圆柱形形状改变为凸起形状。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述平坦化处理包括：执行化学机械抛光步骤直到到达所述基板的工作表面为止，从而留下所述基板的工作表面上的第一共形膜。

16.一种形成具有接触开口的图案化的掩模的方法，所述方法包括：

在基板的工作表面上形成柱结构的浮雕图案，所述柱结构垂直于所述基板的工作表面延伸；

执行重新成形处理，所述重新成形处理修改所述柱结构的形状，从而得到与最初的粗糙度值相比减小的所述柱结构的粗糙度值；

在所述基板上沉积第一共形膜，所述第一共形膜共形地涂覆所述柱结构和所述工作表面，所述第一共形膜包括含金属的材料；

执行如下平坦化处理，所述平坦化处理将柱结构和覆盖所述柱结构的第一共形膜机械地向下去除至覆盖所述基板的工作表面的第一共形膜，从而留下所述基板的工作表面上的第一共形膜；以及

使用所述第一共形膜的剩余部分作为蚀刻掩模，以蚀刻一个或更多个下面的层。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，修改所述柱结构的形状包括缩小所述柱结构的宽度。

18.一种形成具有接触开口的图案化的掩模的方法，所述方法包括：

在基板的工作表面上形成柱结构的浮雕图案，所述柱结构垂直于所述基板的工作表面延伸；

执行重新成形处理，所述重新成形处理修改所述柱结构的形状，从而得到与所述重新成形处理之前的临界尺寸均匀性值相比提高的局部临界尺寸均匀性；

在执行所述重新成形处理之后，在所述基板上沉积第一界面膜，所述第一界面膜共形地涂覆所述柱结构和所述工作表面；

在沉积所述第一界面膜之后，在所述基板上沉积第一共形膜，所述第一共形膜共形地涂覆所述柱结构和所述工作表面，所述第一共形膜包括具有小于15纳米的厚度的含金属的材料；

执行如下平坦化处理，所述平坦化处理将柱结构和覆盖所述柱结构的第一共形膜机械地向下去除至覆盖所述基板的工作表面的第一共形膜，从而留下所述基板的工作表面上的第一共形膜；以及

使用所述第一共形膜的剩余部分作为蚀刻掩模，以蚀刻一个或更多个下面的层。