[发明专利]具有优化的掺杂分布和不同过渡区域厚度的硅基调制器

权利要求书

1.一种硅基调制器(10)，包括：

波导芯(1)，其是PN结区域(12)；

第一过渡区域(2)，其是在横向方向上与所述波导芯(1)相邻的P侧区域(16)；

第二过渡区域(2)，其是在横向方向上与所述波导芯(1)相邻并且与所述第一过渡区域(2)位于相对侧上的N侧区域(16)；

第一电接触区域(3)，其与所述第一过渡区域(2)相邻；以及

第二电接触区域(3)，其与所述第二过渡区域(2)相邻，

其中，所述第一过渡区域和第二过渡区域中的至少一个具有沿纵向方向的掺杂浓度的变化。

2.根据权利要求1所述的硅基调制器，其中，所述掺杂浓度的变化由在纵向方向上不同掺杂浓度的多个区域形成。

3.根据权利要求1-2所述的硅基调制器，其中，所述掺杂浓度的变化导致针对给定的接入电阻的低的光损耗和针对给定的光学损耗的低的接入电阻中的一者。

4.根据权利要求1-3所述的硅基调制器，其中，所述波导芯(1)具有p型掺杂p，并且所述第一电接触(3)具有p型掺杂p++，使得所述第一过渡区域(2)具有k(k≥2)个分区P₁，P₂，…，P_k，每个分区分别以浓度水平p₁，p₂，…，p_k有效掺杂，使得p≤p₁p₂…p_k≤p++，并且

其中，所述波导芯(1)具有n型掺杂n，第二电接触(3)具有n型掺杂n++，使得所述第二过渡区域(2)具有k(k≥2)个分区N₁，N₂，…，N_k，每个分区分别以浓度水平n₁，n₂，…，n_k有效掺杂，使得n≤n₁n₂…n_kn++。

5.根据权利要求1-4所述的硅基调制器，其中，在所述第一过渡区域(2)和第二过渡区域(2)中，所述掺杂浓度的变化是不同的。

6.根据权利要求1-5所述的硅基调制器，其中，所述掺杂浓度的变化在纵向方向上是周期性的。

7.根据权利要求1-5所述的硅基调制器，其中，在所述第一过渡区域(2)和第二过渡区域(2)中的至少一个过渡区域中，与对应的电接触区域(3)相邻处的掺杂浓度与该电接触区域的掺杂浓度相等。

8.根据权利要求1-5所述的硅基调制器，其中，在所述第一过渡区域(2)和第二过渡区域(2)中的至少一个过渡区域中，与所述波导芯(1)相邻处的掺杂浓度与所述波导芯的掺杂浓度相等。

9.根据权利要求1-9所述的硅基调制器，其中，所述第一过渡区域(2)和第二过渡区域(2)中的至少一个在波长芯(1)和对应的电接触区域(3)之间具有可变的厚度，其中所述可变的厚度相对于均匀厚度降低接入电阻。

10.根据权利要求1-10所述的硅基调制器，其中，沿纵向方向的掺杂浓度的变化产生根据距波长芯(3)的距离以指数增加的有效横向掺杂分布。

11.根据权利要求1-10所述的硅基调制器，其中，所述第一过渡区域(2)和第二过渡区域(2)中的至少一个具有沿横向方向的掺杂浓度的变化。

12.根据权利要求11所述的硅基调制器，其中，所述沿横向方向的掺杂浓度的变化中的掺杂值在对应的电接触区域(3)中具有掺杂值的最大值。

13.根据权利要求11所述的硅基调制器，其中，所述沿横向方向的掺杂浓度的变化中的掺杂值在对应的电接触区域(3)中具有掺杂值的最大值。