[发明专利]一种用于有机发光器件的具有热刺激延迟磷光(TSDP)特性的发光金(III)化合物及其制备

权利要求书

1.用于OLED的具有TSDP特性的一类新型发光金(III)化合物，所述发光金(III)化合物具有通式(I)和(II)所示的化学结构：

其中：

(a)X、Y、Z₁和Z₂各自是氮或碳；

(b)A和B是未取代或取代的苯基基团或杂环基团的环状结构衍生物；

(c)R₁是任何碳或杂原子供体配体、卤化物或类卤化物，其可为单阴离子的或中性的；R₁选自但不限于烷基、取代烷基、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、杂环基、取代杂环基、炔基、取代炔基、烷氧基、酰胺基、硫醇化物基团、磷化物基团、氯化物基团、溴化物基团、碘化物基团、氰酸酯基团、硫氰酸酯基团或氰化物基团；

(d)R₂是任何碳或杂原子配体、卤化物或类卤化物，其可为单阴离子的或中性的；R₂选自但不限于烷基、取代烷基、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、杂环基、取代杂环基、炔基、取代炔基、烷氧基、酰胺基、硫醇化物基团、磷化物基团、氯化物基团、溴化物基团、碘化物基团、氰酸酯基团、硫氰酸酯基团或氰化物基团；

(e)n是0、正整数或负整数。

2.根据权利要求1所述的金(III)化合物，其中环A和B独立地为苯、苯基衍生物、杂环或杂环衍生物，但不限于，具有一个或多个烷基、烯基、炔基、芳基、环烷基、OR、NR₂、SR、C(O)R、C(O)OR、C(O)NR₂、CN、CF₃、NO₂、SO₂、SOR、SO₃R、卤素、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基或杂环基基团，其中R独立地为烷基、烯基、炔基、烷基芳基、芳基或环烷基。

3.根据权利要求1所述的金(III)化合物，其中所述金(III)化合物在基板上沉积为薄层。

4.根据权利要求3所述的金(III)化合物，其中所述薄层通过真空沉积、旋涂或喷墨印刷沉积。

5.根据权利要求1所述的金(III)化合物，其中所述金(III)化合物在约380-1050nm范围内具有光致发光特性。

6.根据权利要求1所述的金(III)化合物，其中所述金(III)化合物响应于通过该化合物的电流或响应于强电场而发光。

7.根据权利要求1所述的金(III)化合物，其中所述金(III)化合物用于构建OLED。

8.根据权利要求7所述的金(III)化合物，其中所述金(III)化合物是OLED的发光层或发射层中的掺杂剂。

9.根据权利要求7所述的金(III)化合物，其中所述OLED的发射能量依赖于金(III)化合物的浓度以及辅助配体上的一个或多个供体基团，其中所述一个或多个供体基团选自但不限于：N、S、O、P。

10.根据权利要求7所述的金(III)化合物，其中所述OLED的发射能量与金(III)化合物的浓度以及辅助配体上的一个或多个供体基团无关，其中所述一个或多个供体基团选自但不限于：N、S、O、P。