[发明专利]具有机械结构增强的垂直存储单元

权利要求书

1.一种增强的垂直-NAND结构，包括：

被形成为第一和第二垂直结构的第一组交错的氧化物和氮化物层，

所述第一垂直结构从衬底的第一部分上升，所述第二垂直结构从所述衬底的第二部分上升；

增强层，其包括片材，所述片材是不同的并且横跨在所述第一和第二垂直结构的各个顶部上，以及连接所述片材的桥；以及

被形成为第三和第四垂直结构的第二组交错的氧化物和氮化物层，

所述第三垂直结构从与所述第一垂直结构相对应的所述片材上升，所述第四垂直结构从与所述第二垂直结构相对应的所述片材上升。

2.根据权利要求1所述的增强的垂直-NAND结构，其中，所述第一、第二、第三和第四垂直结构包括衬有多晶硅的氧化物柱。

3.根据权利要求1所述的增强的垂直-NAND结构，其中，至少所述第一垂直结构和第二垂直结构中各自的所述氧化物和氮化物层的数目相同。

4.根据权利要求1所述的增强的垂直-NAND结构，其中，至少所述第一垂直结构和第二垂直结构具有受蚀刻深度范围、蚀刻纵横比以及毛细管力和压缩力中的一个或多个限制的层数。

5.根据权利要求1所述的增强的垂直-NAND结构，其中，相对于所述第一、第二、第三和第四垂直结构的材料，选择性地蚀刻所述增强层的材料。

6.根据权利要求1所述的增强型垂直-NAND结构，其特征在于，还包括：

附加增强层；以及

被形成为附加的第三和附加的第四垂直结构的附加的交错的氧化物和氮化物层组。

7.一种增强的垂直-NAND结构，包括：

被形成为第一和第二垂直结构的第一组交错的衬里的氧化物和金属层，

所述第一垂直结构从所述衬底的第一部分上升，第二垂直结构从所述衬底的第二部分上升；

增强层，其包括片材，所述片材是不同的并且横跨在所述第一和第二垂直结构的各个顶部的无衬里的氧化物上表面上；以及

被形成为第三和第四垂直结构的第二组交错的衬里的氧化物和金属层，

所述第三垂直结构从与所述第一垂直结构相对应的片材上升，所述第四垂直结构从与所述第二垂直结构相对应的片材上升。

8.根据权利要求7所述的增强的垂直-NAND结构，其中，所述第一、第二、第三和第四垂直结构包括衬有多晶硅的氧化物柱。

9.根据权利要求7所述的增强的垂直-NAND结构，其中，至少在所述第一垂直结构和所述第二垂直结构中各自的所述衬里的氧化物和金属层的数目相同。

10.根据权利要求7所述的增强的垂直-NAND结构，其中，至少所述第一垂直结构和第二垂直结构具有由蚀刻深度范围、蚀刻纵横比以及毛细管力和压缩力中的一个或多个限制的层数。

11.根据权利要求7所述的增强的垂直-NAND结构，其中，相对于所述第一、第二、第三和第四垂直结构的材料，选择性地蚀刻所述增强层的材料。

12.根据权利要求7所述的增强型垂直-NAND结构，其特征在于，还包括：

附加增强层；并且

被形成为附加的第三和附加的第四垂直结构的附加的交错的衬里的氧化物和金属层组。

13.一种组装增强型NAND结构的方法，所述方法包括：

形成从衬底的第一部分和第二部分上升的分别被形成为第一垂直结构和第二垂直结构的第一组交错的氧化物和氮化物层；

形成增强层，所述增强层包括片材，所述片材是不同的并且横跨在第一和第二垂直结构的各个顶部上，以及连接所述片材的桥；并且

形成从对应于所述第一垂直结构和所述第二垂直结构的所述片材上升的分别被形成为第三和第四垂直结构的第二组交错的氧化物和氮化物层。