[发明专利]半导体装置、电子构件及电子设备有效

专利信息
申请号: 201980007719.9 申请日: 2019-01-10
公开(公告)号: CN112041776B 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 八窪裕人;高桥圭 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56;H01L21/822;H01L27/04;H03F3/34
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 刘倜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 电子 构件 电子设备
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

第一电路;

第二电路;

第三电路;以及

第一保持电路,

其中,所述第一保持电路包括第一保持部,

所述第一保持电路具有使所述第一保持部成为电浮动状态而保持所述第一保持部的第一电位的功能,

所述第一电路具有使所述第一保持部的所述第一电位变为第二电位的功能,

所述第二电路具有根据所述第一保持部的所述第一电位或所述第二电位生成偏置电流的功能,

所述第三电路包括第一端子、第二端子及第三端子,

并且,所述第三电路具有如下功能:当所述偏置电流被供应到所述第三电路的所述第一端子时,根据对所述第三电路的所述第二端子的输入电位生成第三电位,并从所述第三电路的所述第三端子输出所述第三电位。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,

其中所述第一电路包括第一电容器,

所述第一电容器的第一端子与所述第一保持部电连接,

并且所述第一电路具有如下功能:在所述第一保持电路使所述第一保持部成为电浮动状态之后,第四电位被输入到所述第一电容器的第二端子,由此利用所述第一电容器的电容耦合将保持在所述第一保持部中的所述第一电位变为所述第二电位。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,

其中所述第一电路包括缓冲器电路,

并且所述缓冲器电路的输出端子与所述第一电容器的所述第二端子电连接。

4.根据权利要求2所述的半导体装置,

其中所述第一电路包括复用器,

并且所述复用器的输出端子与所述第一电容器的所述第二端子电连接。

5.根据权利要求2所述的半导体装置,

其中所述第一电路包括比较器,

所述比较器的输出端子与所述第一电容器的所述第二端子电连接,

所述比较器的第一输入端子被输入所述第三电位,

并且所述比较器的第二输入端子被输入第五电位。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置,

其中所述第一保持电路包括第一晶体管及第二电容器,

所述第一保持部与所述第一晶体管的第一端子及所述第二电容器的第一端子电连接,

并且所述第一晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物。

7.根据权利要求6所述的半导体装置,还包括第四电路,

其中所述第四电路具有使恒电流流过的功能,

所述第四电路与所述第一晶体管的第二端子电连接,

并且在所述第一晶体管处于导通状态时,所述第一晶体管的所述第一端子被输入对应于所述恒电流的所述第一电位。

8.根据权利要求1所述的半导体装置,还包括第二保持电路,

其中所述第二保持电路包括第二保持部,

所述第二保持部与所述第三电路的所述第二端子电连接,

并且所述第二保持电路具有使所述第二保持部成为电浮动状态来保持对所述第三电路的所述第二端子的所述输入电位的功能。

9.根据权利要求8所述的半导体装置,

其中所述第二保持电路包括第二晶体管及第三电容器,

所述第二保持部与所述第二晶体管的第一端子及所述第三电容器的第一端子电连接,

所述第二晶体管的第二端子被输入所述输入电位,

并且所述第二晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物。

10.一种电子构件,包括:

如权利要求1至9中任一项所述的半导体装置和集成电路,所述半导体装置和所述集成电路每一个都设置在印刷电路板上。

11.一种电子设备,包括:

权利要求1至9中任一项所述的半导体装置;以及

框体。

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