[发明专利]光电转换元件和成像装置

权利要求书

1.一种光电转换元件，包括：

第一电极，其由彼此独立的多个电极构成；

第二电极，其布置成与所述第一电极相对；

n型光电转换层，其包含半导体纳米粒子，所述n型光电转换层设置在所述第一电极和所述第二电极之间；以及

半导体层，其包含氧化物半导体材料，所述半导体层设置在所述第一电极和所述n型光电转换层之间。

2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中所述n型光电转换层具有3×10¹⁶cm^-3以上且1×10¹⁸cm^-3以下的载流子密度。

3.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中所述半导体层具有1×10¹⁷cm^-3以下的载流子密度。

4.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中

所述半导体纳米粒子包括核和配体，所述配体结合到所述核的表面上，并且

所述核包括PbS、PbSe、PbTe、CuInSe₂、ZnCuInSe、CuInS₂、HgTe、InAs、InSb、Ag₂S和CuZnSnSSe中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中

所述半导体纳米粒子包括核和配体，所述配体结合到所述核的表面上，并且

所述配体包括氯原子、溴原子和碘原子中的任意一种。

6.根据权利要求4所述的光电转换元件，其中

所述半导体纳米粒子进一步地包括围绕所述核设置的壳，并且

所述壳包括PbO、PbO₂、Pb₃O₄、ZnS、ZnSe和ZnTe中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中所述半导体层包括IGZO、ZTO、Zn₂SnO₄、InGaZnSnO、GTO、Ga₂O₃:SnO₂和IGO中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中

所述第一电极通过使用钛(Ti)、银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、铬(Cr)、镍(Ni)、钨(W)和铜(Cu)中的任意一种来形成，并且

所述第二电极通过使用氧化铟锡(ITO)来形成。

9.根据权利要求1所述的光电转换元件，包括

绝缘层，其在所述第一电极和所述半导体层之间，其中

所述第一电极包括电荷读出电极和电荷累积电极，所述电荷读出电极经由设置在所述绝缘层中的开口电连接到所述n型光电转换层，所述电荷累积电极与所述n型光电转换层以所述绝缘层介于其间的方式相对布置。

10.根据权利要求9所述的光电转换元件，其中所述第一电极包括在所述电荷读出电极和所述电荷累积电极之间的电荷传输电极。

11.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中将各个电压分别施加到构成所述第一电极的所述多个电极。

12.根据权利要求1所述的光电转换元件，进一步地包括

半导体基板，其中

所述第一电极、所述半导体层、所述n型光电转换层以及所述第二电极按此顺序设置在所述半导体基板的第一表面侧。

13.根据权利要求12所述的光电转换元件，其中所述半导体基板包括驱动电路，并且构成所述第一电极的所述多个电极分别连接到所述驱动电路。