[发明专利]通过MOCVD生产涂覆有石墨烯的发光装置的方法在审
申请号: | 201980008026.1 | 申请日: | 2019-01-10 |
公开(公告)号: | CN111587223A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 西蒙·托马斯;伊沃尔·吉尼 | 申请(专利权)人: | 帕拉格拉夫有限公司 |
主分类号: | C01B32/186 | 分类号: | C01B32/186;H01L21/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;苏虹 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 mocvd 生产 涂覆有 石墨 发光 装置 方法 | ||
1.一种用于生产光敏电子装置或发光电子装置的方法,所述方法包括:
在MOCVD反应室中通过MOCVD形成光敏装置或发光装置;
在所述MOCVD反应室中在所述光敏装置或发光装置上形成石墨烯层结构;
其中所述石墨烯层结构包括2个至10个石墨烯层,优选2个至6个石墨烯层,其中所述石墨烯层结构用于提供所述装置的电触点。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述发光装置为UV LED,以及其中所述石墨烯层结构包括2个至6个石墨烯层。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述光敏装置为太阳能电池板。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述石墨烯层结构包括3个或4个石墨烯层。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中在所述MOCVD反应室中在所述光敏装置或发光装置上形成石墨烯层结构的步骤包括:
提供所述光敏装置或发光装置作为在反应室中的经加热的衬托器上的基底,所述室具有复数个经冷却的入口,所述复数个经冷却的入口被布置成使得在使用时所述入口跨越所述基底分布并且相对所述基底具有恒定的间隔,
供应包含前体化合物的流通过所述入口并进入所述反应室中从而使所述前体化合物分解并在所述基底上形成石墨烯,
其中所述入口被冷却至低于100℃,优选地被冷却至50℃至60℃,以及所述衬托器被加热至超过前体的分解温度至少50℃的温度。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述前体化合物为烃,优选在室温下为液体的烃,最优选为C5至C10烷烃。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述方法还包括:将涂覆有所述石墨烯层结构的光敏装置或发光装置连接到电路中,其中所述石墨烯的至少一部分提供所述装置的电触点。
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