[发明专利]有机EL元件、具有苯并唑环结构的胺化合物及在有机EL元件的封盖层中使用其的方法

说明书

有机EL元件，为至少依次具有阳极电极、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极电极及封盖层的有机EL元件，其中，上述封盖层含有由下述通式(A‑1)表示的具有苯并唑环结构的胺化合物。

技术领域

本发明涉及在适于各种显示装置的作为自发光元件的有机电致发光元件(以下简称为有机EL元件)中适用的化合物和元件，详细地说，涉及具有苯并唑环结构的化合物、使用了该化合物的有机EL元件和在有机EL元件中使用该化合物的方法。

背景技术

有机EL元件为自发光性元件，因此与液晶元件相比明亮且可视性优异，可进行鲜明的显示。因此进行了活跃的研究。

1987年伊士曼柯达公司的C.W.Tang等开发出将各种职能分担于各材料的层叠结构元件，由此使使用了有机材料的有机EL元件成为实用的元件。他们通过将能够传输电子的荧光体和能够传输空穴的有机物层叠、将两者的电荷注入到荧光体的层中而使其发光，由此用10V以下的电压得到1000cd/m²以上的高亮度(例如参照专利文献1及专利文献2)。

目前为止，为了有机EL元件的实用化，进行了大量的改进，对层叠结构的各种职能进一步细分化，在基板上依次设置了阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极的电致发光元件中，通过从底部发光的底部发射结构的发光元件，实现了高效率和耐久性(例如参照非专利文献1)。

近年来，逐渐使用将具有高功函数的金属用于阳极、从上部发光的顶部发射结构的发光元件。在从具有像素电路的底部将光取出的底部发射结构中，发光部的面积受到限制，相对于此，在顶部发射结构的发光元件中，通过从上部将光取出，像素电路不会阻挡，因此具有将发光部扩宽的优点。在顶部发射结构的发光元件中，在阴极中使用LiF/Al/Ag(例如参照非专利文献2)、Ca/Mg(例如参照非专利文献3)、LiF/MgAg等半透明电极。

在这样的发光元件中，在发光层中发出的光入射到其他膜的情况下，如果以某角度以上入射，则在发光层与其他膜的界面发生全反射。因此，只能利用发出的光的一部分。近年来，为了提高光的取出效率，提出了在折射率低的半透明电极的外侧设置了折射率高的“封盖层”的发光元件(例如参照非专利文献2及3)。

就顶部发射结构的发光元件中的封盖层的效果而言，在将Ir(ppy)₃用于发光材料的发光元件中，在无封盖层的情况下电流效率为38cd/A，相对于此，在使用了膜厚60nm的ZnSe作为封盖层的发光元件中，为64cd/A，确认了约1.7倍的效率提高。另外，示出了半透明电极与封盖层的透射率的极大值与效率的极大值未必一致，示出了光的取出效率的最大值由干涉效应所决定(例如参照非专利文献3)。

目前为止，提出了在封盖层的形成中使用精细度高的金属掩模，如果是高温条件下的使用，存在着如下问题：在金属掩模中由于热而产生变形，由此对位精度降低。因此，就ZnSe而言，熔点高达1100℃以上(例如参照非专利文献3)，如果是精细度高的金属掩模，不能在正确的位置蒸镀，有可能对发光元件自身也产生影响。进而，即使是采用溅射法的成膜，也会对发光元件产生影响，因此以无机物作为构成材料的封盖层不适于使用。

此外，作为调整折射率的封盖层，有时使用三(8-羟基喹啉)铝(以下简写为Alq₃)(例如参照非专利文献2)，已知Alq₃为一般作为绿色发光材料或电子传输材料而使用的有机EL材料，在青色发光材料中所使用的450nm附近具有弱的吸收，因此，在青色发光元件的情况下，也有色纯度降低及光的取出效率降低的问题。

另外，如果是用以往的封盖层所制作的元件，太阳光的波长400nm至410nm的光通过，对元件内部的材料产生影响，也存在色纯度及光的取出效率降低的问题。