[发明专利]用于存储器控制器的安全增强

说明书

本发明公开了一种存储器控制器，该存储器控制器包括被配置为生成预定数据模式的生成器电路、地址输入部和存储器接口电路。该存储器接口电路被配置为将预定数据模式在地址输入部中所识别的地址处写入存储器。该存储器接口电路被进一步配置为在该地址处从存储器读取存储的数据模式。该存储器控制器还包括完整性检查器电路，该完整性检查器电路被配置为比较预定数据模式和存储的数据模式，以及基于该比较来识别存储器的错误。

技术领域

本公开涉及将数据读取和写入到电子设备中的存储器，并且更具体地讲，涉及用于存储器控制器的安全增强。

背景技术

随着集成电路制造技术改善，半导体制造商能够将附加功能集成到单个硅基板上。然而，随着这些功能的数量增加，单个芯片上的部件的数量也会增加。附加部件可增加信号切换，继而生成更多热量。附加热量可能损坏芯片的各种部件。例如，当晶体管例如由于负偏置温度不稳定性(NBTI)而随时间推移被负偏置时，利用p沟道金属氧化物半导体(P-MOS)晶体管的存储器设备可能被附加热量影响。氧化物劣化也可能随时间推移而损坏晶体管。

随着存储器设备劣化，存储器设备的读取或写入稳定性可能受损(例如，由于其栅极阈值电压的偏移)。设计可以包括余量以减小由此类劣化带来的影响，但附加设计余量可能减小性能和/或增加提供存储器设备所必需的面积。

如果为所述存储器设备供电的调节器或电池更具电阻性，则可能出现电压下拉的效应。当由于存储器控制器及其相关联的存储器控制器的同时切换输出而出现电流峰值时，这可以在短时间段内减小电压。电流峰值可以导致施加到存储器的电压的值略低于存储器设备的正常操作状况的允许下限，这当然是在在有限时间段内的。电源的电阻性越大(老化效应)，效应越大。

发明内容

本公开的实施方案包括存储器控制器。存储器控制器可以包括生成器电路，该生成器电路被配置为生成预定数据模式。存储器控制器可以包括地址输入部。存储器控制器可以包括存储器接口电路，该存储器接口电路被配置为将预定数据模式在地址输入部中所识别的地址处写入存储器，以及在该地址处从存储器读取存储的数据模式。存储器控制器可以包括完整性检查器电路，该完整性检查器电路被配置为比较预定数据模式和存储的数据模式，以及基于比较来识别存储器的错误。结合以上实施方案中的任一个，预定数据模式可以被配置为引起给定了预定数据模式的位大小的该存储器的数据总线的同时切换输出的最大数量。结合以上实施方案中的任一个，预定数据模式可以包括要单独写入存储器和从存储器读取的两个部分，并且同时切换输出的最大数量是来自两个部分的相应值的结果。结合以上实施方案中的任一个，预定数据模式被配置为在存储器的数据总线中的一个或多个数据位中引起串扰。结合以上实施方案中的任一个，预定数据模式包括要单独写入存储器和从存储器读取的两个部分，并且串扰是来自两个部分的相应值的结果。结合以上实施方案中的任一个，存储器接口电路和完整性检查器电路被配置为对由存储器刷新命令事件所确定的时段进行操作。结合以上实施方案中的任一个，预定数据模式包括对存储器设备中的一个或多个地址位置的完整性检查。结合以上实施方案中的任一个，预定数据模式被配置为创建用于检查访问完整性的已知状况。结合以上实施方案中的任一个，存储器接口电路被配置为在将预定数据模式写入地址之前，从地址读取并存储现有值。结合以上实施方案中的任一个，存储器接口电路被配置为在该地址处从存储器读取存储的数据模式之后，将现有值写入地址。结合以上实施方案中的任一个，存储器接口电路被配置为在将预定数据模式写入地址之前，接收针对地址的存储器命令，预定数据模式未由存储器命令限定。结合以上实施方案中的任一个，存储器接口电路被配置为在该地址处从存储器读取存储的数据模式之后，执行针对地址的存储器命令。

本公开的实施方案可以包括一种系统，该系统包括处理器、存储器、以及存储器控制器的以上实施方案中的任一个。

本公开的实施方案可以包括一种微控制器，该微控制器包括处理器、存储器、以及存储器控制器的以上实施方案中的任一个。