[发明专利]半导体材料及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

包括衬底上的第一导电体、第二导电体、第三导电体及氧化物半导体的晶体管；

第一之二极管元件；

第二之二极管元件；以及

第三之二极管元件，

其中，在所述晶体管中带电的电荷通过所述第一之二极管元件、所述第二之二极管元件或所述第三之二极管元件迁移到所述半导体衬底。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一之二极管元件、所述第二之二极管元件、所述第三之二极管元件及所述第四之二极管元件与第四导电体电连接。

3.一种半导体装置，包括：

包括衬底上的第一导电体、第二导电体、第三导电体及氧化物半导体的晶体管；

第一电容器；

第二电容器；以及

第三电容器，

其中，在所述晶体管中带电的电荷迁移到所述第一电容器、所述第二电容器或所述第三电容器并被固定。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

其中所述第一电容器、所述第二电容器及所述第三电容器与第四导电体电连接。

5.根据权利要求2或4所述的半导体装置，

其中所述第四导电体被用作所述晶体管的栅电极。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，

其中所述半导体装置包括两个以上的所述晶体管。

7.一种半导体装置，包括：

衬底上的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及第四晶体管，

其中，所述第四晶体管包括第一导电体、第二导电体、第三导电体及氧化物半导体，

所述第一导电体通过所述第一晶体管与所述半导体衬底电连接，

所述第二导电体通过所述第一晶体管与所述半导体衬底电连接，

所述第三导电体通过所述第一晶体管与所述半导体衬底电连接，

并且，所述第四导电体通过所述第一晶体管与所述半导体衬底电连接。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，

其中所述第一晶体管、所述第二晶体管及所述第三晶体管被用作电容器。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，

其中所述第一晶体管、所述第二晶体管及所述第三晶体管被用作二极管元件。