[发明专利]接合线在审
申请号: | 201980008520.8 | 申请日: | 2019-01-25 |
公开(公告)号: | CN111656501A | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 黑崎裕司;棚桥央 | 申请(专利权)人: | 拓自达电线株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;C22C5/02;C22F1/00;C22F1/14 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 金雪梅;王秀辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 | ||
提供一种接合线,在与由Al合金构成的电极接合的情况下也能够抑制在接合线与电极的接合部分产生裂缝或条痕,在长期间内接合可靠性较高。Cu的含量为0.1质量%以上且5.0质量%以下,Ca的含量为1质量ppm以上且100质量ppm以下,从由Nd、Sm和Gd构成的组中选择的1种或者2种以上的元素的含量的合计为1质量ppm以上且100质量ppm以下,Ca的含量与从由Nd、Sm和Gd构成的组中选择的1种或者2种以上的元素的含量的合计为5质量ppm以上且150质量ppm以下,剩余部分由Au构成。
技术领域
本发明涉及接合线。
背景技术
作为将半导体元件上的电极和基板的电极连接的方法,如图1所示,公知有如下的方法:在将通过放电加热等而形成在接合线W的前端的FAB(Free Air Ball:自由空气球)按压在一个电极10而进行第一接合之后,通过将接合线的外周面按压在另一个电极10’而进行第二接合的球焊法来连接电极10、10’的方法;以及如图2所示,在将FAB按压在一个电极20而接合之后,切断接合线W而在一个电极20形成凸块22,经由该凸块22和焊料24而连接另一个电极20’的方法。
在这样的球焊法或凸块的形成所使用的接合线中,从化学上的稳定性或大气中的操作容易度出发,使用由纯度4N(99.99质量%)的Au(金)构成的接合线。
然而,若将纯度4N的Au构成的接合线与Al(铝)或Al合金的电极10、20接合,则在形成于电极10上的接合部(以下,也有时将该接合部称为“FAB接合部”)12与电极10的界面附近、形成于电极20上的凸块22与电极20的界面附近生成Au-Al金属间化合物。由于所生成的Au-Al金属间化合物,容易在界面产生裂缝或条痕。
在下述专利文献1中提出由在Au中复合添加了Cu(铜)和Pd(钯)的合金构成的接合线。
专利文献1:日本特开平8-199261号公报
然而,若在以Au为主成分的接合线中添加Pd,则能够在某程度上防止FAB接合部与电极的界面部分的裂缝的产生,但不容易防止条痕的产生,无法满足接合可靠性。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的,目的在于,提供一种接合线,在与由Al合金构成的电极接合的情况下也能够抑制接合线与电极的接合部分的裂缝或条痕的产生,在长期间内接合可靠性较高。
为了解决上述课题,在本发明的接合线中,Cu的含量为0.1质量%以上且5.0质量%以下,Ca的含量为1质量ppm以上且100质量ppm以下,从由Nd、Sm和Gd构成的组中选择的1种或者2种以上的元素的含量的合计为1质量ppm以上且100质量ppm以下,Ca的含量与从由Nd、Sm和Gd构成的组中选择的1种或者2种以上的元素的含量的合计为5质量ppm以上且150质量ppm以下,剩余部分由Au构成。
在上述本发明的接合线中,优选Cu的含量小于3质量%,更优选Cu的含量小于1质量%。另外,优选Cu的含量为0.3质量%以上。另外,优选Ca的含量与从由Nd、Sm和Gd构成的组中选择的1种或者2种以上的元素的含量的合计为20质量ppm以上且100质量ppm以下。
根据本发明,得到一种接合线,在与由Al合金构成的电极接合的情况下也能够抑制在接合线与电极的接合部分产生裂缝或条痕,在长期间内接合可靠性较高。
附图说明
图1是放大地示出在半导体封装中将电极间结线的接合线W的图。
图2是示出在电极上形成了凸块22的状态的图。
具体实施方式
以下,参照图1对本发明的一个实施方式的接合线进行说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造