[发明专利]接合体的制造方法、临时固定部件及层叠体在审
| 申请号： | 201980008551.3 | 申请日： | 2019-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN111615745A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 斋江俊之;山下广祐;堀田吉则;殿原浩二;黑冈俊次 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01R11/01 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王亚爱 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接合 制造 方法 临时 固定 部件 层叠 | ||
【权利要求书】：
1.一种接合体的制造方法，其包括：
临时固定工序，通过在至少两个具有导电性的导电部件之间设置临时固定部件而使至少两个所述导电部件彼此临时固定；
去除工序，去除所述临时固定部件；及
接合工序，接合至少两个所述导电部件。
2.根据权利要求1所述的接合体的制造方法，其中，
同时实施所述去除工序及所述接合工序。
3.根据权利要求1或2所述的接合体的制造方法，其中，
所述去除工序包括所述临时固定部件的气化工序及将所述临时固定部件置换成气体或填充剂的置换工序中的至少一个工序。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的接合体的制造方法，其中，
所述临时固定部件在温度23℃下为液体。
5.根据权利要求4所述的接合体的制造方法，其中，
所述液体的沸点为50℃以上且250℃以下。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的接合体的制造方法，其中，
所述导电部件为具有电极的部件或各向异性导电性部件。
7.一种临时固定部件，被用于权利要求1至6中任一项所述的接合体的制造方法。
8.一种层叠体，其在至少两个具有导电性的导电部件之间设置并层叠权利要求7所述的临时固定部件。
9.根据权利要求8所述的层叠体，其中，
所述导电部件为具有电极的部件或各向异性导电性部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
