[发明专利]含有次氯酸根离子的半导体晶圆的处理液

权利要求书

1.一种处理液，其是用于清洗半导体晶圆的处理液，

所述处理液含有：

(A)次氯酸根离子；以及

(C)溶剂，

所述处理液的25℃下的pH大于7且小于12.0。

2.一种处理液，其是用于清洗半导体晶圆的处理液，

所述处理液含有：

(A)次氯酸根离子；

(B1)烷基铵离子；以及

(C)溶剂，

所述处理液的25℃下的pH大于7且小于12.0。

3.一种处理液，其是用于清洗半导体晶圆的处理液，

所述处理液含有：

(A)次氯酸根离子；

(B2)选自碱金属离子和碱土金属离子中的至少一种金属离子；以及

(C)溶剂，

所述(B2)金属离子的浓度按质量基准计为1ppm以上且20000ppm以下，所述处理液的25℃下的pH大于7且小于12.0。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的处理液，其中，

所述(A)次氯酸根离子的浓度为0.05～20.0质量％。

5.根据权利要求2所述的处理液，其中，

所述(B1)烷基铵离子为季烷基铵离子。

6.根据权利要求3所述的处理液，其中，

所述(B2)金属离子为钠离子。

7.一种半导体晶圆的清洗方法，其特征在于，

使权利要求1～6中任一项所述的处理液与半导体晶圆接触。

8.根据权利要求7所述的半导体晶圆的清洗方法，其中，

所述半导体晶圆在其表面具有选自由钌和钨构成的组中的至少一种金属，所述清洗方法去除该金属。

9.一种处理液的制造方法，其是权利要求2所述的处理液的制造方法，

所述制造方法包括：

(a)准备附加有烷基铵的离子交换树脂的工序；以及

(b)使所述附加有烷基铵的离子交换树脂与含有次氯酸根离子的水溶液接触的工序。

10.根据权利要求9所述的处理液的制造方法，其中，

在所述(b)工序之后包括调整pH的工序(c)。