[发明专利]硅单晶生长方法以及设备有效
| 申请号： | 201980008970.7 | 申请日： | 2019-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN111615568B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 姜钟珉;崔日洙 | 申请（专利权）人： | 爱思开矽得荣株式会社 |
| 主分类号： | C30B15/22 | 分类号： | C30B15/22;C30B15/36;C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 蔡文清;沙永生 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅单晶 生长 方法 以及 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅单晶生长方法，所述方法包括如下步骤：
(a)使单晶的肩部垂直生长；
(b)在垂直生长后，使肩部水平生长；以及
(c)在肩部水平生长后，使肩部以向下凸出的形状生长，
其中，使肩部根据步骤(b)和(c)进行生长以实现肩部最终直径和肩部生长高度之间的预设比率，
步骤(b)中生长的肩部高度与肩部最终直径的比率为0.3或更高，
在步骤(a)中，肩部可以以第一牵拉速度生长，并且在步骤(b)和(c)中，肩部以第二牵拉速度生长，第二牵拉速度可以是第一牵拉速度的1.125-1.375倍，并且
步骤(b)中生长的肩部高度为90mm或更高。
2.如权利要求1所述的硅单晶生长方法，其中，第一牵拉速度是肩部达到肩部最终高度70％时的平均牵拉速度。
3.如权利要求1所述的硅单晶生长方法，其中，步骤(b)中生长的肩部高度大于步骤(c)中生长的肩部高度。
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