[发明专利]固态摄像装置、其制造方法和电子设备有效

专利信息
申请号: 201980009321.9 申请日: 2019-01-18
公开(公告)号: CN111630843B 公开(公告)日: 2023-06-16
发明(设计)人: 水田恭平 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H04N25/67 分类号: H04N25/67;H04N25/79;H01L27/146
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 陈桂香;曹正建
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 固态 摄像 装置 制造 方法 电子设备
【权利要求书】:

1.一种固态摄像装置,其包括:

第一半导体基板和第二半导体基板,所述第一半导体基板的前表面侧和所述第二半导体基板的后表面侧结合,所述第一半导体基板的所述前表面侧是所述第一半导体基板的布线层形成面,所述第二半导体基板的所述后表面侧位于所述第二半导体基板的布线层形成面的相反侧,

所述第一半导体基板包括:

光电转换部,其对入射光进行光电转换,和

传输晶体管,其传输所述光电转换部的电荷,

所述第二半导体基板包括:

电荷/电压保持部,其保持通过所述传输晶体管传输的所述电荷或者与所述电荷对应的电压;以及

贯通电极,其贯穿所述第二半导体基板,并且将从所述传输晶体管传输来的所述电荷或所述电压传输到所述电荷/电压保持部。

2.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中,

所述第一半导体基板还包括:遮光膜,其由作为布线层的一部分的金属布线构成。

3.根据权利要求1或2所述的固态摄像装置,其中,

所述第一半导体基板还包括:

电荷电压转换部,其产生与所述电荷对应的所述电压,并且

所述第二半导体基板的所述电荷/电压保持部保持通过所述电荷电压转换部转换的所述电压。

4.根据权利要求1或2所述的固态摄像装置,其中,

所述贯通电极在所述第一半导体基板和所述第二半导体基板之间的接合面处的截面直径小于或等于贯穿所述第二半导体基板的部分的截面直径。

5.根据权利要求1或2所述的固态摄像装置,其中,

在像素区域中,所述第一半导体基板和所述第二半导体基板只通过多个所述贯通电极电连接。

6.根据权利要求1或2所述的固态摄像装置,其中,

所述第一半导体基板的布线层的金属布线由钨形成。

7.一种固态摄像装置的制造方法,所述方法包括:

在第一半导体基板中形成光电转换部和传输晶体管,所述光电转换部对入射光进行光电转换,所述传输晶体管传输所述光电转换部的电荷;

将作为所述第一半导体基板的布线层形成面的前表面侧和与第二半导体基板的布线层形成面相对一侧的所述第二半导体基板的后表面侧结合;

在所述结合之后,在所述第二半导体基板中形成电荷/电压保持部,所述电荷/电压保持部保持通过所述传输晶体管传输的所述电荷或者与所述电荷对应的电压;以及

形成贯通电极,所述贯通电极贯穿所述第二半导体基板,并且将从所述传输晶体管传输来的所述电荷或所述电压传输到所述电荷/电压保持部。

8.一种电子设备,其包括:

固态摄像装置,其为权利要求1至6中任一项所述的固态摄像装置。

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