[发明专利]消弧装置和多级消弧设备

权利要求书

1.一种具有第一端子(1)和第二端子(2)的消弧装置，所述第一端子(1)和所述第二端子(2)能够连接到中至高阻抗交流电压源(AV)，所述消弧装置包括：

触发电路(B)，所述触发电路连接在所述第一端子(1)和所述第二端子(2)之间并且构造成响应于超过所述触发电路(B)的至少一个触发元件两端的阈值电压而输出触发信号；

正极侧信号电路(C)，所述正极侧信号电路构造成根据从所述触发电路(B)输入的正电压信号而输出正箝位信号；

正极侧过电压箝位电路(E)，所述正极侧过电压箝位电路包括连接在所述第一端子(1)和所述第二端子(2)之间的可控半导体元件(ES)，所述正极侧过电压箝位电路(E)构造成当存在来自所述正极侧信号电路(C)的所述正箝位信号时控制所述半导体元件(ES)处于导通状态，并构造成当预定时间段内不存在所述正箝位信号时控制所述半导体元件(ES)处于非导通状态；

负极侧信号电路(D)，所述负极侧信号电路构造成根据从所述触发电路(B)输入的负电压信号而输出负箝位信号；

负极侧过电压箝位电路(F)，所述负极侧过电压箝位电路包括连接在所述第一端子(1)和所述第二端子(2)之间的可控半导体元件(FS)，所述负极侧过电压箝位电路(F)构造成当存在来自所述负极侧信号电路(D)的所述负箝位信号时控制所述半导体元件(FS)处于导通状态，并构造成当预定时间段内不存在所述负箝位信号时控制所述半导体元件(FS)处于非导通状态。

2.根据权利要求1所述的消弧装置，

其中，所述正极侧信号电路(C)构造成根据所述正电压信号的电流的时间导数输出所述正箝位信号；并且/或

其中，所述负极侧信号电路(D)构造成根据所述负电压信号的电流的时间导数输出所述负箝位信号。

3.根据权利要求1或2所述的消弧装置，

其中，所述预定时间段被选择为至少与由所述交流电压源(AV)的频率确定的周期一样长。

4.根据权利要求1或2所述的消弧装置，

其中，所述触发电路(B)包括串联连接的触发元件(BT1，BT2，...，BTn)的串，所述触发电路(B)构造成响应于超过所述串联连接的触发元件(BT1，BT2，...，BTn)的串的两端的所述阈值电压而输出所述触发信号。

5.根据权利要求4所述的消弧装置，

其中，所述预定时间段由时间常数确定，所述时间常数至少部分由二极管(ED3，FD3)限定，所述二极管反向连接在所述串联连接的触发元件(BT1，BT2，...，BTn)的串内的连接点与所述正极侧过电压箝位电路(E)和/或所述负极侧过电压箝位电路(F)的元件之间。

6.根据权利要求1或2所述的消弧装置，

其中，所述至少一个触发元件(BT1，BT2，...，BTn)包括火花隙、DIAC和/或SIDAC。

7.根据权利要求1或2所述的消弧装置，

其中，所述正极侧过电压箝位电路(E)的所述可控半导体元件(ES)和/或所述负极侧过电压箝位电路(F)的所述可控半导体元件(FS)包括晶体管。

8.根据权利要求7所述的消弧装置，

其中，所述晶体管为MOSFET。

9.根据权利要求1或2所述的消弧装置，

其中，所述正极侧信号电路(C)包括二极管(CD)，所述二极管正向连接在所述触发电路(B)的端子与所述正极侧过电压箝位电路(E)的所述半导体元件(ES)的控制端子之间；并且/或

其中，所述负极侧信号电路(D)包括二极管(DD)，所述二极管正向连接在所述触发电路(B)的端子与所述负极侧过电压箝位电路(F)的所述半导体元件(FS)的控制端子之间。