[发明专利]λ/4型电波吸收体

说明书

本发明的目的在于，提供发挥出优异的耐久性的λ/4型电波吸收体。本发明为一种λ/4型电波吸收体，其依次具有含钼的电阻覆膜、电介质层和反射层。

技术领域

本发明涉及具有优异的耐久性的λ/4型电波吸收体。

背景技术

近年来，便携电话、智能手机等便携通信设备的普及在急速地推进，另外，在汽车等中搭载有大量的电子设备，由它们产生的电波/噪音经常发生电波故障、其他电子设备的误操作等问题。作为防止这样的电波故障、误操作等的对策，研究了各种电波吸收体。例如，在专利文献1中公开了下述λ/4型电波吸收体，其在厚度约λ/4(在此，λ表示电介质内的电波的波长。)的电介质间隔件的背面安装完全反射体，在表面具有通过离子镀、蒸镀、溅射等所制作的电阻覆膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平5-114813号公报

发明内容

发明要解决的课题

以往的λ/4型电波吸收体是使作为电阻覆膜的ITO(掺杂锡的氧化铟)、电介质及铝等导电层层叠而得的结构。出于低成本化等理由，该ITO大多成膜于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜等高分子膜。对于高分子膜来说，由于无法在高温下进行加热，所以无法将ITO加热成膜，从而在无定形状态下成膜。无定形膜的比电阻高，在大气中的耐久性/化学品稳定性等低。因此，通常，在之后的工序中对成膜后的ITO膜进行退火而使其结晶化，由此提高膜物性。

但是，对于高分子膜来说，因为无法使退火温度提高，因此，例如需要在140℃下1小时这样的、在较低温度下较长时间的退火。因此，如果能够代替ITO而使用无需退火工序的金属膜来作为电阻覆膜，则不需要成膜后的退火，可期待生产率的大幅提高和成本的降低。另外，ITO包含大量的铟，而铟是预计到使用量比埋藏量多的金属，资源枯竭令人担忧。因此，期待着代替ITO的电阻覆膜材料的开发。

但是，对于大多金属膜来说，在用作具有376.7Ω/□的λ/4型电波吸收体用电阻覆膜的情况下，存在有时在大气中的耐久性变差，λ/4型电波吸收体的电波吸收性经时性地降低这样的问题。λ/4型电波吸收体用电阻覆膜的表面电阻值必须为376.7Ω/□±10％。

本发明鉴于上述现状，其目的在于，提供发挥出优异的耐久性的λ/4型电波吸收体。

用于解决课题的手段

本发明是一种λ/4型电波吸收体，其依次具有含钼的电阻覆膜、电介质层和反射层。

以下，对本发明进行详述。

本发明人等针对将金属膜用作λ/4型电波吸收体的电阻覆膜时耐久性变差的原因进行了研究。其结果，发现：构成λ/4型电波吸收体的电阻覆膜的表面电阻值经时性地大幅变动这方面成为了电波吸收性降低的一个原因。

到目前为止，作为代替ITO的λ/4型电波吸收体的电阻覆膜，已经研究了不锈钢(铁/铬合金、SUS)、镍/铬合金等合金、钛等金属。例如，在作为电阻覆膜而使用了SUS、镍/铬合金的情况下，在电阻覆膜的表面形成厚度10nm以下的钝态覆膜，进行稳定化。但是，认为：若放置这样的电阻覆膜，则大气中的盐分(氯离子)附着于表面，钝态覆膜被破坏，电阻覆膜自身也发生损伤，表面电阻值发生变动。另外，例如，在作为电阻覆膜而使用钛的情况下，表面电阻值满足376.7Ω/□的钛的膜厚变为1nm左右这样薄。因此，认为：若放置电阻覆膜，则钛被大气中的氧所氧化，从表面被氧化钛取代，表面电阻值发生变动。

本发明人等进行了深入的研究，结果发现：在使用含有钼的合金来形成电阻覆膜的情况下，即使在大气下放置时，也会使电阻覆膜的表面电阻值的变动变小，能够制造发挥出优异的耐久性的λ/4型电波吸收体，从而完成了本发明。