[发明专利]组合物、光电转换元件及摄像装置

权利要求书

1.一种组合物，其包含下述通式(1)所表示的酞菁衍生物，

其中，R₁～R₈分别独立地为烷基或芳基，M为4价金属，R₉及R₁₀各自为下述通式(2)～(5)所表示的取代基中的任一个；另外，R₁₁～R₁₃分别独立地为烷基，R₁₄～R₁₈分别独立地为烷基或芳基，

2.根据权利要求1所述的组合物，其中，

在所述通式(1)中，R₁～R₈为碳数为5以下的烷基。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的组合物，其中，

在所述通式(1)中，M为Si或Sn。

4.根据权利要求1～权利要求3中任一项所述的组合物，其中，

所述酞菁衍生物为下述通式(6)～(11)所表示的化合物中的任一个，

其中，Ar为芳基，X为碳数为10以下的烷基，

5.根据权利要求1～权利要求3中任一项所述的组合物，其中，在所述通式(1)中，在选自R₉及R₁₀中的至少1个中包含的至少1个氢原子被氟原子或含氟基取代。

6.根据权利要求5所述的组合物，其中，

在所述通式(1)中，R₉及R₁₀为所述通式(5)，

在所述通式(5)中R₁₇及R₁₈分别独立地为芳基，

在选自R₁₇及R₁₈中的至少1个中包含的至少1个氢原子被氟原子或含氟基取代。

7.根据权利要求6所述的组合物，其中，

在所述通式(5)中R₁₇及R₁₈分别独立地为苯基，

在选自R₁₇及R₁₈中的至少1个中包含的至少一个氢原子被氟原子或三氟甲基取代。

8.根据权利要求5～权利要求7中任一项所述的组合物，其中，所述酞菁衍生物为下述结构式(12)～(15)所表示的化合物中的任一个，

9.一种光电转换元件，其具备：

一对电极；和

光电转换膜，其设置于所述一对电极之间，包含权利要求1～权利要求8中任一项所述的组合物，在近红外光区域中具有光吸收特性。

10.根据权利要求9所述的光电转换元件，其中，

所述光电转换膜的电离电势为5.1eV以上。

11.根据权利要求9或权利要求10所述的光电转换元件，其中，

所述光电转换膜中的所述组合物的浓度为5重量％～25重量％。

12.根据权利要求9～权利要求11中任一项所述的光电转换元件，其中，所述光电转换膜的吸收光谱在803nm以上的波长范围内包含吸收峰。

13.一种摄像装置，其具备：

基板；和

像素，其包含设置于所述基板表面的电荷检测电路、设置于所述基板上的光电转换部及与所述电荷检测电路和所述光电转换部电连接的电荷蓄积节点，

所述光电转换部包含权利要求9～权利要求12中任一项所述的光电转换元件。