[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980010071.0 | 申请日： | 2019-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN111656530A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;冈崎健一;及川欣聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;李志强 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
第一氧化物；
所述第一氧化物上的第二氧化物；
所述第二氧化物上的第三氧化物；
所述第三氧化物上的第一绝缘体；
所述第一绝缘体上的导电体；
与所述第二氧化物的顶面的一部分、所述第二氧化物的侧面的一部分及所述第三氧化物的侧面的一部分接触的第二绝缘体；
所述第二绝缘体上的第三绝缘体；以及
与所述第三氧化物的顶面、所述第一绝缘体的顶面、所述导电体的顶面及所述第三绝缘体的顶面接触的第四绝缘体，
其中，所述第二氧化物具有第一区域、第二区域以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域，
所述第一区域及所述第二区域的电阻低于所述第三区域的电阻，
所述导电体以重叠于所述第三区域的方式设置在所述第三区域的上方，
所述第三氧化物的一部分及所述第一绝缘体的一部分设置在所述导电体的侧面与所述第三绝缘体的侧面之间，
并且，所述第二绝缘体与所述第一区域及所述第二区域接触。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一区域以及所述第二区域包含磷和硼中的一方。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第一区域及所述第二区域具有比所述第三区域多的氧空位。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中所述第一区域及所述第二区域包含比所述第三区域多的氢。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中所述第三氧化物重叠于所述第一区域的一部分以及所述第二区域的一部分。
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