[发明专利]化合物、树脂、组合物、抗蚀图案形成方法、电路图案形成方法和树脂的纯化方法

权利要求书

1.一种下述式(1c)所示的化合物，

式(1c)中，A为硫原子或氧原子，R^1a为氢原子、或碳数1～10的1价的基团，R^1b为具有芳香族基团的碳数6～30的n价的基团，R⁶～R⁹各自独立地为任选具有取代基的碳数1～30的直链状、支链状或环状的烷基、任选具有取代基的碳数6～30的芳基、任选具有取代基的碳数2～30的烯基、任选具有取代基的碳数2～30的炔基、任选具有取代基的碳数1～30的烷氧基、卤素原子、硝基、氨基、羧酸基、交联性基团、解离性基团、巯基或羟基，所述烷基、所述芳基、所述烯基、所述烷氧基任选包含醚键、酮键或酯键，R¹⁰～R¹³各自独立地为氢原子，n为1～4的整数，m⁶和m⁷各自独立地为0～3的整数，m⁸和m⁹各自独立地为0～4的整数。

2.一种树脂，其是以权利要求1所述的化合物为单体而得到的。

3.根据权利要求2所述的树脂，其具有下述式(2c)所示的结构，

式(2c)中，A、R^1a、R^1b、R⁶～R¹³、m⁶～m⁹和n分别与所述式(1c)中的A、R^1a、R^1b、R⁶～R¹³、m⁶～m⁹和n为相同含义，L为单键或连接基团。

4.一种组合物，其含有选自由权利要求1所述的化合物和权利要求2或3所述的树脂组成的组中的1种以上。

5.根据权利要求4所述的组合物，其中，还含有溶剂。

6.根据权利要求4所述的组合物，其中，还含有产酸剂。

7.根据权利要求4～6中任一项所述的组合物，其中，还含有交联剂。

8.根据权利要求4～6中任一项所述的组合物，其用于光刻用膜形成。

9.根据权利要求8所述的光刻用膜形成组合物，其用于光致抗蚀层的形成。

10.根据权利要求8所述的光刻用膜形成组合物，其用于抗蚀下层膜的形成。

11.根据权利要求4～6中任一项所述的组合物，其用于光学部件形成。

12.一种抗蚀图案形成方法，其包括如下工序：

使用权利要求9所述的组合物在基板上形成抗蚀膜的工序；

对所形成的抗蚀膜的至少一部分进行曝光的工序；和，

对曝光后的所述抗蚀膜进行显影而形成抗蚀图案的工序。

13.一种辐射线敏感性组合物，其含有：权利要求1～3中任一项所述的化合物和/或树脂中的1种以上即成分(A)；重氮萘醌光活性化合物(B)；和溶剂，

所述溶剂的含量相对于所述辐射线敏感性组合物的总量100质量％为20～99质量％，除所述溶剂以外的成分的含量相对于所述辐射线敏感性组合物的总量100质量％为1～80质量％。

14.根据权利要求13所述的辐射线敏感性组合物，其中，所述成分(A)与所述重氮萘醌光活性化合物(B)与所述辐射线敏感性组合物中能任意包含的其他任意成分(D)的含量比((A)/(B)/(D))相对于所述辐射线敏感性组合物的固体成分100质量％为1～99质量％/99～1质量％/0～98质量％。