[发明专利]近场以及特高频通信装置

权利要求书

1.一种近场及特高频通信装置（D'、D''、D'''），该装置包括：

• NFC类型的近场通信天线（A2'、A2''、A2'''），

• BLE类型的特高频天线（A3'、A3''、A3'''），

• 控制单元（M1'、M1''、M1'''），其包括用于控制特高频天线的控制部件（M4）和用于控制近场通信天线的控制部件（M2），

• 近场通信天线（A2'、A2''、A2'''）位于其上的第一载体（PCB1'、PCB1''、PCB1'''），

• 控制单元（M1'、M1''、M1'''）位于其上的第二载体（PCB2'、PCB2''、PCB2'''），

第一载体（PCB1'、PCB1''、PCB1'''）和第二载体（PCB2'、PCB2''、PCB2'''）一者位于另一者上方，并通过机械支撑销（I、I'、I1'、I2'、I3'）而连接，

该通信装置（D'、D''、D'''）的特征在于，特高频天线（A3'、A3''、A3'''）位于第一载体（PCB1'、PCB1''、PCB1'''）上，并借助于以下各项而连接到控制单元（M1'）：

• 位于第一载体（PCB1'、PCB1''、PCB1'''）上的第一连接（c1、v1、v1'、v1''），

• 由传导金属制成的机械支撑销（I'、I1'、I2'、I3'），

• 以及位于第二载体（PCB2'、PCB2''、PCB2'''）上的第二连接（c2、v2、v2'、v2''），

第一和第二连接（c1、c2）、销（I'；I1'、I2'、I3'）和特高频天线（A3'、A3''、A3'''）彼此连接并且由传导金属制成，它们构成了以与所述特高频天线（A3'、A3''、A3'''）相同的工作频率发射电磁场的特高频的双向天线（A30'、A30''、A30'''），所述电磁场具有两个分量，垂直于第一载体（PCB1'、PCB1''、PCB1'''）的第一分量（B1）和平行于第一载体（PCB1'、PCB1''、PCB1'''）的第二分量（B2）。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，特高频的双向天线（A30'、A30''、A30'''）的总长度（L_TOT）等于：

L_TOT = L + H1 + Lc2 + Lc1

并且被包括在下面的范围之间：

L_TOT=

其中：

L_TOT：双向天线（A30'、A30''、A30'''）的总长度，

H1：销（I、I'、I1'、I2'、I3'）的高度，

λ：特高频波长，

Lc1：第一连接（c1、v1、v1'、v1''）的长度，

Lc2：第二连接（c2、v2、v2'、v2''）的长度，

L：特高频天线（A3'、A3''、A3'''）的长度。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，第一连接（c1、v1、v1'、v1''）和第二连接（c2、v2、v2'、v2''）由通孔构成，并且双向天线（A30'、A30''、A30'''）的总长度等于：

L_TOT = L + H1

H1：销（I、I'、I1'、I2'、I3'）的高度，

λ：特高频波长，

L：特高频天线（A3'、A3''、A3'''）的长度。

4.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，近场通信天线（A2'、A2''、A2'''）和特高频天线（A3'、A3''、A3'''）通过共用销（I1'、I3'）并且通过第一和第二共用通孔（v1'、v2'）而连接到控制单元（M1'、M1''、M1'''），并且该装置还包括频率过滤部件（F1、F2、F3、F4）。