[发明专利]在后处理中具有优异操作特性的电解铜箔,及其制造方法有效
申请号: | 201980010624.2 | 申请日: | 2019-01-25 |
公开(公告)号: | CN111655906B | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 金星玟;金善花 | 申请(专利权)人: | SK纳力世有限公司 |
主分类号: | C25D1/04 | 分类号: | C25D1/04;C25D3/38;H01M4/66;H01M4/13;H01M10/052 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 吴小瑛;张福根 |
地址: | 韩国全*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 在后 处理 具有 优异 操作 特性 电解 铜箔 及其 制造 方法 | ||
1.一种具有第一表面和第二表面的电解铜箔,其中
所述电解铜箔由以下式1定义的(220)面的织构系数为0.4至1.32,
(式1)
在式1中,TC(220)表示电解铜箔的(220)面的织构系数,I(hkl)表示电解铜箔的(hkl)晶面的XRD衍射强度,I0(hkl)表示粉末衍射标准联合委员会JCPDS所规定的标准铜粉的(hkl)晶面的XRD衍射强度,n是在衍射角(2θ)为30度至95度的范围内的衍射峰的数量,且所述(hkl)晶面包括(111)、(200)、(220)和(311)晶面,
所述电解铜箔的第一表面的Rz/Ra与电解铜箔的第二表面的Rz/Ra之间的差(|Δ(Rz/Ra)|)为小于2.42,其中Rz表示十点平均粗糙度,且Ra表示算术平均粗糙度,并且
所述电解铜箔的第一表面的峰密度(PD)与电解铜箔的第二表面的峰密度(PD)之间的差(|ΔPD|)为96ea或更小。
2.根据权利要求1所述的电解铜箔,其中
第二表面是M表面,并且
第二表面的Rz/Ra为4.2至9.0。
3.根据权利要求2所述的电解铜箔,其中
第一表面是S表面,并且
所述电解铜箔的S表面的Rz/Ra为5.1至6.8。
4.根据权利要求1所述的电解铜箔,其中所述电解铜箔在室温下测量的拉伸强度为30至65kgf/mm2。
5.根据权利要求1所述的电解铜箔,其中所述电解铜箔在室温下测量的伸长率为3%或更多。
6.根据权利要求1所述的电解铜箔,其中所述电解铜箔宽度方向的重量偏差为5%或更少。
7.根据权利要求1所述的电解铜箔,其中电解铜箔通过将其以8cm×8cm的尺寸切成十字形以垂直地分为两部分而形成的四个突出切口部的角的测量高度的算术平均值小于10mm。
8.一种制造电解铜箔的方法,该方法通过在布置在电解槽的电解液中彼此隔开的正极板和旋转负极鼓之间施加电流来进行,从而在旋转负极鼓上电镀铜膜,该方法包括:
使用粒度为500#至3000#的刷子对所述旋转负极鼓的表面进行抛光;
在经抛光的旋转负极鼓上电沉积铜膜;和
缠绕电沉积的铜膜,其中
电解液包含70至90g/L的铜离子,80至120g/L的硫酸,10至20ppm的氯离子,3至12ppm的基于硫化物的化合物,25至50ppm的Mo和5至25ppm的PEG。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述基于硫化物的化合物选自SPS、MPS和ZPS。
10.根据权利要求8所述的方法,其中所述基于硫化物的化合物是SPS。
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