[发明专利]固态成像元件和固态成像装置在审
申请号: | 201980010675.5 | 申请日: | 2019-03-04 |
公开(公告)号: | CN111656525A | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 平田晋太郎;富樫秀晃;兼田有希央 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/10;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 元件 装置 | ||
1.一种固态成像元件,包括:
光电转换层;
经由其间的所述光电转换层彼此相对的第一电极和第二电极;
设置在第一电极和所述光电转换层之间的半导体层;
经由其间的所述半导体层与所述光电转换层相对的累积电极;
设置在所述累积电极和所述半导体层之间的绝缘膜;和
设置在所述半导体层和所述光电转换层之间的阻挡层。
2.一种固态成像元件,包括:
光电转换层;
经由其间的所述光电转换层彼此相对的第一电极和第二电极;
设置在第一电极和所述光电转换层之间的半导体层,所述半导体层在相对于所述光电转换层的接合面处具有势垒;
经由其间的所述半导体层与所述光电转换层相对的累积电极;和
设置在所述累积电极和所述半导体层之间的绝缘膜。
3.根据权利要求1所述的固态成像元件,其中
所述光电转换层包含有机半导体材料,和
所述半导体层包含迁移率高于所述有机半导体材料的迁移率的半导体材料。
4.根据权利要求1所述的固态成像元件,还包括具有彼此相对的第一面和第二面的半导体基板,其中
第一电极、所述半导体层、所述阻挡层、所述光电转换层和第二电极顺次设置在所述半导体基板的第一面上。
5.根据权利要求1所述的固态成像元件,还包括:
具有彼此相对的第一面和第二面的半导体基板;和
在所述半导体基板的第二面和第一电极之间设置的多层配线。
6.根据权利要求4所述的固态成像元件,还包括设置在所述半导体基板内的无机光电转换部。
7.根据权利要求1所述的固态成像元件,还包括经由其间的所述绝缘膜与所述半导体层相对设置的传输电极,所述传输电极控制信号电荷在所述半导体层中的移动。
8.根据权利要求1所述的固态成像元件,还包括与第一电极分开设置并且电气连接到所述半导体层的排出电极。
9.根据权利要求1所述的固态成像元件,还包括经由其间的所述光电转换层覆盖第一电极的遮光膜。
10.根据权利要求1所述的固态成像元件,其中所述阻挡层包含氧化硅、氮化硅、氧氮化硅或有机材料。
11.一种包括多个固态成像元件的固态成像装置,每个固态成像元件包括
光电转换层;
经由其间的所述光电转换层彼此相对的第一电极和第二电极;
设置在第一电极和所述光电转换层之间的半导体层;
经由其间的所述半导体层与所述光电转换层相对的累积电极;
设置在所述累积电极和所述半导体层之间的绝缘膜;和
设置在所述半导体层和所述光电转换层之间的阻挡层。
12.一种包括多个固态成像元件的固态成像装置,每个固态成像元件包括
光电转换层;
经由其间的所述光电转换层彼此相对的第一电极和第二电极;
设置在第一电极和所述光电转换层之间的半导体层,所述半导体层在相对于所述光电转换层的接合面处具有势垒;
经由其间的所述半导体层与所述光电转换层相对的累积电极;和
设置在所述累积电极和所述半导体层之间的绝缘膜。
13.根据权利要求11所述的固态成像装置,还包括经由其间的所述绝缘膜与所述半导体层相对的屏蔽电极,所述屏蔽电极配置在彼此相邻的所述累积电极之间。
14.根据权利要求11所述的固态成像装置,包括分别设置有所述固态成像元件的多个像素,其中所述半导体层针对每个像素分离地设置。
15.根据权利要求11所述的固态成像装置,包括分别设置有所述固态成像元件的多个像素,其中所述光电转换层针对每个像素分离地设置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980010675.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:化合物及包含其的有机发光器件
- 下一篇:发射器及滴灌用输送管
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的