[发明专利]固态成像元件和固态成像装置在审

专利信息
申请号: 201980010675.5 申请日: 2019-03-04
公开(公告)号: CN111656525A 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: 平田晋太郎;富樫秀晃;兼田有希央 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L31/10;H04N5/369
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 梁兴龙;曹正建
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 固态 成像 元件 装置
【权利要求书】:

1.一种固态成像元件,包括:

光电转换层;

经由其间的所述光电转换层彼此相对的第一电极和第二电极;

设置在第一电极和所述光电转换层之间的半导体层;

经由其间的所述半导体层与所述光电转换层相对的累积电极;

设置在所述累积电极和所述半导体层之间的绝缘膜;和

设置在所述半导体层和所述光电转换层之间的阻挡层。

2.一种固态成像元件,包括:

光电转换层;

经由其间的所述光电转换层彼此相对的第一电极和第二电极;

设置在第一电极和所述光电转换层之间的半导体层,所述半导体层在相对于所述光电转换层的接合面处具有势垒;

经由其间的所述半导体层与所述光电转换层相对的累积电极;和

设置在所述累积电极和所述半导体层之间的绝缘膜。

3.根据权利要求1所述的固态成像元件,其中

所述光电转换层包含有机半导体材料,和

所述半导体层包含迁移率高于所述有机半导体材料的迁移率的半导体材料。

4.根据权利要求1所述的固态成像元件,还包括具有彼此相对的第一面和第二面的半导体基板,其中

第一电极、所述半导体层、所述阻挡层、所述光电转换层和第二电极顺次设置在所述半导体基板的第一面上。

5.根据权利要求1所述的固态成像元件,还包括:

具有彼此相对的第一面和第二面的半导体基板;和

在所述半导体基板的第二面和第一电极之间设置的多层配线。

6.根据权利要求4所述的固态成像元件,还包括设置在所述半导体基板内的无机光电转换部。

7.根据权利要求1所述的固态成像元件,还包括经由其间的所述绝缘膜与所述半导体层相对设置的传输电极,所述传输电极控制信号电荷在所述半导体层中的移动。

8.根据权利要求1所述的固态成像元件,还包括与第一电极分开设置并且电气连接到所述半导体层的排出电极。

9.根据权利要求1所述的固态成像元件,还包括经由其间的所述光电转换层覆盖第一电极的遮光膜。

10.根据权利要求1所述的固态成像元件,其中所述阻挡层包含氧化硅、氮化硅、氧氮化硅或有机材料。

11.一种包括多个固态成像元件的固态成像装置,每个固态成像元件包括

光电转换层;

经由其间的所述光电转换层彼此相对的第一电极和第二电极;

设置在第一电极和所述光电转换层之间的半导体层;

经由其间的所述半导体层与所述光电转换层相对的累积电极;

设置在所述累积电极和所述半导体层之间的绝缘膜;和

设置在所述半导体层和所述光电转换层之间的阻挡层。

12.一种包括多个固态成像元件的固态成像装置,每个固态成像元件包括

光电转换层;

经由其间的所述光电转换层彼此相对的第一电极和第二电极;

设置在第一电极和所述光电转换层之间的半导体层,所述半导体层在相对于所述光电转换层的接合面处具有势垒;

经由其间的所述半导体层与所述光电转换层相对的累积电极;和

设置在所述累积电极和所述半导体层之间的绝缘膜。

13.根据权利要求11所述的固态成像装置,还包括经由其间的所述绝缘膜与所述半导体层相对的屏蔽电极,所述屏蔽电极配置在彼此相邻的所述累积电极之间。

14.根据权利要求11所述的固态成像装置,包括分别设置有所述固态成像元件的多个像素,其中所述半导体层针对每个像素分离地设置。

15.根据权利要求11所述的固态成像装置,包括分别设置有所述固态成像元件的多个像素,其中所述光电转换层针对每个像素分离地设置。

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