[发明专利]磁传感器

说明书

本发明的磁传感器(1)具有：放射状的磁阻元件(第1磁阻元件2和第2磁阻元件3)，具有从一点(中心P)放射状地配置的多个感磁部(第1感磁部20和第2感磁部30)；圆环状或者多边形状的磁阻元件(第3磁阻元件4和第4磁阻元件5)，配置为包围第1磁阻元件(2)和第2磁阻元件(3)；以及至少一个半桥电路(半桥电路13a和半桥电路13b)，由放射状的磁阻元件和圆环状或者多边形状的磁阻元件形成。

相关申请的交叉引用

本申请主张于2018年3月22日申请的日本专利申请2018-054391号的优先权，并通过参照将日本专利申请2018-054391号的全部内容引用至本申请。

技术领域

本发明涉及磁传感器。

背景技术

公知有具备由将磁场传感器元件以形成1个或者多个测定桥的方式连接的多个磁阻元件构成的MR(Magneto Resistive-磁阻)传感器的角度传感器(例如，参照专利文献1。)。

该角度传感器通过检测磁场的磁矢量的方向，从而能够检测绕旋转轴进行旋转的测定对象的角度位置。

专利文献1：日本特开平11-94512号公报

作为使用了这样的MR传感器的磁传感器，公知有根据检测到的角度来判定若干状态的传感器。在施加了外部干扰磁场的情况下，该磁传感器难以区别所检测到的磁矢量的角度是磁铁的磁矢量的角度还是外部干扰磁场的磁矢量的角度，从而有可能产生误判定。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具备对外部干扰磁场的耐受性的磁传感器。

基于本发明的一个实施方式的磁传感器具有：放射状的磁阻元件，具有从一点放射状地配置的多个感磁部；圆环状或者多边形状的磁阻元件，配置为包围放射状的磁阻元件；以及至少一个半桥电路，由放射状的磁阻元件和圆环状或者多边形状的磁阻元件形成。

根据本发明的一个实施方式，能够提供具备对外部干扰磁场的耐受性的磁传感器。

附图说明

图1A是表示第1实施方式所涉及的磁传感器的第1磁阻元件～第4磁阻元件的配置的说明图。

图1B是第1实施方式所涉及的磁传感器的等效电路图。

图2A是用于对第1实施方式所涉及的磁传感器与磁铁的位置关系进行说明的说明图。

图2B是用于对作用于第1实施方式所涉及的磁传感器的磁矢量进行说明的说明图。

图3A是表示远离了第1实施方式所涉及的磁传感器的磁铁的说明图。

图3B是表示远离了第1实施方式所涉及的磁传感器的磁铁的磁矢量的说明图。

图4A是表示外部干扰磁场作用于第1实施方式所涉及的磁传感器的情况的说明图。

图4B是表示第1实施方式所涉及的磁传感器中的磁阻值与距中心的距离的关系的曲线图。

图4C是表示第1实施方式所涉及的磁传感器中的运算放大器输出的输出信号的曲线图。

图5是表示第1实施方式所涉及的磁传感器的动作的流程图。

图6A是表示第2实施方式所涉及的磁传感器的放射状的磁阻元件与圆环状的磁阻元件的配置的说明图。

图6B是第2实施方式所涉及的磁传感器的等效电路图。

图7是表示第3实施方式所涉及的磁传感器的放射状的磁阻元件与多边形状的磁阻元件的配置的说明图。

具体实施方式

(实施方式的摘要)