[发明专利]在图案化中的氧化锡心轴

权利要求书

1.一种处理半导体衬底的方法，所述方法包括：

(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底具有存在于蚀刻停止层上的多个氧化锡突起特征；

(b)在所述氧化锡突起特征的水平表面和侧壁两者上都形成间隔材料层；以及

(c)从所述氧化锡突起特征的所述水平表面上去除所述间隔材料以暴露下伏的氧化锡，而没有完全去除在所述氧化锡突起特征的所述侧壁上的所述间隔材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其还包括：

(d)去除所述氧化锡突起特征而没有完全去除先前存在于所述氧化锡突起特征的所述侧壁上的所述间隔材料，从而形成存在于所述蚀刻停止层上方的多个间隔件。

3.根据权利要求2所述的方法，其还包括：

(e)在去除所述氧化锡突起特征之后，在存在所述多个间隔件的情况下蚀刻所述蚀刻停止层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隔材料选自由含硅材料和二氧化钛组成的组。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述间隔材料是选自由氧化硅、氮化硅、碳化硅、SiOC、SiNO、SiCNO和SiCN组成的组的含硅材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隔材料是氧化钛，并且所述蚀刻停止层包含含硅材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隔材料是氧化硅，并且所述蚀刻停止层包含钨。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隔材料是含硅材料，并且其中，在(c)中从水平表面去除所述间隔材料包括使用基于氟的蚀刻化学物质来蚀刻所述间隔材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隔材料是氧化钛，并且其中，在(c)中从水平表面去除所述间隔材料包括使用基于氯的蚀刻化学物质来蚀刻所述间隔材料。

10.根据权利要求1所述的方法，其还包括：

(d)去除所述氧化锡突起特征而没有完全去除先前存在于所述氧化锡突起特征的所述侧壁上的所述间隔材料，从而形成存在于所述蚀刻停止层上方的多个间隔件，其中使用基于氢的蚀刻化学物质去除所述氧化锡突起特征，从而导致形成氢化锡。

11.根据权利要求1所述的方法，其还包括：

(d)去除所述氧化锡突起特征而没有完全去除先前存在于所述氧化锡突起特征的所述侧壁上的所述间隔材料，从而形成存在于所述蚀刻停止层上方的多个间隔件，其中去除所述氧化锡突起特征包括：使所述半导体衬底与选自由H₂、HBr、NH₃、H₂O、烃及其组合组成的组的等离子体活化的含氢反应物接触。

12.根据权利要求1所述的方法，其还包括在(a)之前：

通过图案化平坦的氧化锡层在所述半导体衬底上形成所述多个氧化锡突起特征。

13.根据权利要求1所述的方法，其还包括在(a)之前：

(i)在所述半导体衬底上形成多个第一心轴；

(ii)在所述多个第一心轴上保形地沉积氧化锡层；以及

(iii)从水平表面蚀刻所沉积的所述氧化锡层并去除所述多个第一心轴以在(a)中提供的所述半导体衬底上形成所述多个氧化锡突起特征，其中所形成的所述多个氧化锡突起特征在后续操作(b)-(c)中充当第二心轴。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一心轴包含选自由光致抗蚀剂、无定形碳和类金刚石碳组成的组的含碳材料。