[发明专利]短路半导体器件及其运作方法

权利要求书

1.一种短路半导体器件，所述短路半导体器件包括半导体本体(16、25、32、39、43、48、51、55、58、61、69、74)，其中，在垂直方向(v)上，从具有通过其几何中心确定的背面中心(13)的背面(4)出发，在朝着与所述背面(4)相对置的、具有通过其几何中心确定的正面中心(13)的正面(5)的方向上，依次地布置有第一导电类型(p)的背面基极区域(6)、与所述第一导电类型(p)互补的第二导电类型(n)的内部区域(7)和第一导电类型(p)的正面基极区域(8)，其中，所述背面基极区域(6)与施加在所述背面(4)上的背面电极(11)导电地相连接，所述背面电极具有通过其横向延伸范围给定的横向背面电极宽度(W_ER)，并且所述正面基极区域(8)与施加在所述正面(5)上的正面电极(10)导电地相连接，所述正面电极具有通过其横向延伸范围给定的横向正面电极宽度(W_EV)，其中，至少一个正面接通结构(17、23、30、35、41、50、53、63)被嵌入到所述正面基极区域(8)中并且至少部分地被所述正面电极(10)覆盖，所述正面接通结构具有通过其横向延伸范围给定的横向正面接通结构宽度(W_SV)，和/或者至少一个背面接通结构(31、36、46、57)被嵌入到所述背面基极区域(6)中并且至少部分地被所述背面电极(11)覆盖，所述背面接通结构具有通过其横向延伸范围给定的横向背面接通结构宽度(W_SR)，其中，所述接通结构(17、23、30、31、35、36、41、46、50、53、57、63)被这样地设置和布置，使所述接通结构依赖于输入给所述半导体本体(16、25、32、39、43、48、51、55、58、61、69、74)的、可预先确定的接通信号而接通并且一次性地在所述正面电极(10)和所述背面电极(11)之间建立永久的、不可逆的、导电的、低电阻的连接，

其特征在于，

在存在所述正面接通结构(17、23、30、35、41、50、53、63)的情况下，所述横向正面接通结构宽度(W_SV)与所述横向正面电极宽度(W_EV)的比率小于1，并且在存在所述背面接通结构(31、36、46、57)的情况下，所述横向背面接通结构宽度(W_SR)与所述横向背面电极宽度(W_ER)的比率小于1。

2.根据权利要求1所述的短路半导体器件，

其特征在于，

所述横向接通结构宽度(W_SV、W_SR)与各自的电极(10、11)的相应的横向电极宽度(W_EV、W_ER)的比率被选择为小于4/5，优选地小于3/4，更优选地小于2/3，并且进一步优选地小于1/2。

3.根据权利要求1或2所述的短路半导体器件，

其特征在于，

所述接通结构(31、46、50、53、57)完全地被所述正面电极(10)和所述背面电极(11)覆盖。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的短路半导体器件，

其特征在于，

所述正面电极(10)和所述背面电极(11)覆盖所述半导体本体(16、25、32、39、43、48、51、55、58、61、69、74)的所述正面中心(13)或者背面中心(13)，并且所述接通结构(17、23、30、31、35、36、41、46、50、53、57、63)被布置在相应的中心(13)上。