[发明专利]滤波器装置以及多工器在审
| 申请号： | 201980011518.6 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111727564A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 荒木正人 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03H9/145 | 分类号： | H03H9/145;H03H9/64;H03H9/72 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 赵琳琳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 滤波器 装置 以及 多工器 | ||
1.一种滤波器装置，具备：
第1端子以及第2端子；
第1滤波器电路，与所述第1端子以及所述第2端子连接，包含第1弹性波谐振器，将第1频带作为通带；以及
附加电路，与至少一个所述第1弹性波谐振器并联地连接在所述第1端子与所述第2端子之间，包含第2弹性波谐振器，
所述附加电路的机电耦合系数与所述第1滤波器电路的机电耦合系数不同。
2.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，
所述附加电路的机电耦合系数大于所述第1滤波器电路的机电耦合系数。
3.根据权利要求2所述的滤波器装置，其中，
所述第1弹性波谐振器具有：
第1压电体以及第1叉指换能器电极即第1IDT电极；以及
第1电介质层，形成在所述第1压电体与所述第1IDT电极之间，
所述第2弹性波谐振器具有：
第2压电体；以及
第2IDT电极，形成为与所述第2压电体接触。
4.根据权利要求2所述的滤波器装置，其中，
所述第1弹性波谐振器具有：
第1压电体以及第1IDT电极；以及
第1电介质层，形成在所述第1压电体与所述第1IDT电极之间，对机电耦合系数进行调整，
所述第2弹性波谐振器具有：
第2压电体以及第2IDT电极；以及
第2电介质层，形成在所述第2压电体与所述第2IDT电极之间，对机电耦合系数进行调整，
所述第2电介质层比所述第1电介质层薄。
5.根据权利要求2所述的滤波器装置，其中，
所述第1弹性波谐振器具有：
第1压电体以及第1IDT电极；以及
第3电介质层，形成为覆盖所述第1IDT电极，对机电耦合系数进行调整，
所述第2弹性波谐振器具有：
第2压电体以及第2IDT电极；以及
第4电介质层，形成为覆盖所述第2IDT电极，对机电耦合系数进行调整，
所述第4电介质层比所述第3电介质层薄。
6.根据权利要求3～5中的任一项所述的滤波器装置，其中，
所述第1压电体以及所述第2压电体是连续的一个压电体。
7.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，
所述附加电路的机电耦合系数小于所述第1滤波器电路的机电耦合系数。
8.根据权利要求7所述的滤波器装置，其中，
所述第1弹性波谐振器具有：
第1压电体；以及
第1IDT电极，形成为与所述第1压电体接触，
所述第2弹性波谐振器具有：
第2压电体以及第2IDT电极；以及
第2电介质层，形成在所述第2压电体与所述第2IDT电极之间，对机电耦合系数进行调整。
9.根据权利要求7所述的滤波器装置，其中，
所述第1弹性波谐振器具有：
第1压电体以及第1IDT电极；以及
第1电介质层，形成在所述第1压电体与所述第1IDT电极之间，对机电耦合系数进行调整，
所述第2弹性波谐振器具有：
第2压电体以及第2IDT电极；以及
第2电介质层，形成在所述第2压电体与所述第2IDT电极之间，对机电耦合系数进行调整，
所述第2电介质层比所述第1电介质层厚。
10.根据权利要求7所述的滤波器装置，其中，
所述第1弹性波谐振器具有：
第1压电体以及第1IDT电极；以及
第3电介质层，形成为覆盖所述第1IDT电极，对机电耦合系数进行调整，
所述第2弹性波谐振器具有：
第2压电体以及第2IDT电极；以及
第4电介质层，形成为覆盖所述第2IDT电极，对机电耦合系数进行调整，
所述第4电介质层比所述第3电介质层厚。
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