[发明专利]雷射引发前向传送(LIFT)沉积设备及方法

说明书

本发明提供一种沉积方法，其中一施体基板(10)与一目标基板(20)相对而配置，该施体基板具有一表面(12)，而该表面(12)系面对该目标基板且具备一黏性施体材料(14)。一光束(30)经由该施体基板被导引至该施体材料，以便释放该施体材料且借此朝向该目标基板传送该施体材料作为一喷射。在本文所提供之方法中，一输入信号(D_S)被接收，该输入信号(D_S)指定了该喷射待呈现之一形状，借由该喷射，该施体材料可被传送且该光束之一能量曲线分布相应地得到控制。另外或替代地，该光束之该能量曲线分布可根据一图案得到控制，该施体材料将根据该图案沉积于该目标基板上。同样地，本发明提供一相应之沉积设备。

技术领域

本发明系关于一种沉积设备。

本发明仍进一步系关于一种沉积方法。

背景技术

雷射引发前向传送(LIFT)为新兴的高分辨率技术，其中施体材料自施体源基板传送至目标基板。LIFT使得在不使用喷嘴之情况下沉积广范围之结构及功能材料为可能的。在此技术中，光束经导引通过施体基板至施体基板上之施体材料层。光束之辐射能量具有的效果是，一部分的施体材料被释放且传送至目标基板之表面。此使得以下情况成为可能：在目标基板之表面处形成诸如导电轨道或导电连接的导电组件，或填充在目标基板内部之硅穿孔(TSV)。

举例而言，WO2011/145930提出芯片晶粒TSV处理设备，该设备经配置以用于芯片制造过程中之芯片晶粒中之TSV的处理。已知之设备专用于后一目的。应进一步注意，WO2009/081355A2系关于直接写入方法。其中，光学总成经组配来导引写入雷射及追踪雷射。载体具有材料层及追踪层。载体可相对于光学总成移动，使得当材料层借由写入雷射激励时，直接写入经提供至载体下方之表面。追踪层包括可读数据，该数据用以控制光学总成及载体之位置中的一者。

仍应进一步注意，US 2003/178395A1揭示用于小型结构之制造的设备，该设备包括基板、能够产生能量或高能束之能量源、可移位地安置于在能量源与基板之间所形成之间隙中的材料载体组件、支撑于材料载体组件之背衬材料上的沉积层，及经由通讯链路操作性地耦接至能量源且经由通讯链路操作性地耦接至材料载体组件的控制单元。或者，控制单元可操作性地耦接至基板。

实际应用常常为更复杂的，因为目标基板之表面可能并非平坦的，而可具有边缘。可能进一步需要提供具有相互不同类型之导电组件的目标基板，不仅包括目标基板表面处之电连接，而且包括呈填料之形式以形成硅穿孔(TSV)的电连接。需要更适用于此等更复杂应用之设备及方法。

发明内容

根据上文所提及之需要，本发明之第一目标为提供经更好地组配以用于上文所提及的应用中之一或多者的沉积方法。

根据上文所提及之需要，本发明之第二目标为提供经更好地组配以用于上文所提及的应用中之一或多者的沉积设备。

根据第一目标，本发明提供了如请求项1所请求的经改良设备，且根据第二目标，本发明提供了根据权利要求9所述的经改良方法。

与自先前技术已知之方法及设备相反，光束不仅仅定位至施体基板中之会有施体材料从其处射出的一位置，而且另外，射束之一空间能量分布被控制以提供施体材料之传送作为一喷射。详言之，此系借由「根据规格数据而以该喷射待呈现之一形状为基础，来控制具有实质上非对称空间分布的光束」而达成，借此增加该方法之通用性。应注意，该空间能量分布在本文中定义为：用来传送一部分之施体材料的辐射剂量之辐射能量分布。该空间能量分布系由功率密度分布在供应剂量之时间间隔上的一积分所引起。功率密度分布可在此时间间隔之期间内调变，但或可保持恒定。

在所请求之沉积方法中，借由所请求之设备，光束之强度曲线分布(intensityprofile)经故意地控制来判定施体材料的多个部分自施体基板射出之方式。在经由施体基板导引光束后，一力型式(force pattern)即施加至具有一空间分布、而该空间分布对应于空间能量分布的施体材料。