[发明专利]辐射发射器、发射装置及其制造方法和相关的显示屏

权利要求书

1.一种适于发射第一辐射的发射器(25)，所述发射器(25)包括：

-基板(55)，

-台面(40)，所述台面(40)由第一半导体材料制成，所述第一半导体材料具有第一带隙值，所述台面(40)具有上表面(70)和侧面(75)，所述侧面(75)围绕上表面(70)并在基板(55)和上表面(70)之间延伸，

-覆盖层(45)，包括一个或多个辐射发射层(85)，至少一个辐射发射层(85)由第二半导体材料制成，所述第二半导体材料具有第二带隙值，所述第二带隙值严格小于所述第一带隙值，每个辐射发射层(85)具有对应于上表面(70)的第一部分(95)和对应于侧面(75)的第二部分(100)，针对第一部分(95)定义了第一厚度(e1)，以及针对第二部分(100)定义了第二厚度(e2)，第二厚度(e2)严格小于第一厚度(e1)。

2.根据权利要求1所述的发射器，其中至少满足以下特性之一：

-第一部分(95)至少部分覆盖所述台面的上表面(70)，以及第二部分(100)至少部分覆盖台面(40)的侧面(75)；

-第二部分(100)形成至少一个量子阱，以及

-侧面(75)包括多个平面。

3.根据权利要求1或2所述的发射器，其中至少满足以下特性之一：

-基板(55)由半导体材料制成，台面(40)从基板(55)沿着垂直于基板(55)的第一方向(D)延伸，并且电连接到基板(55)，基板(55)具有在垂直于第一方向(D)的平面上围绕台面(40)的主表面(65)，基板(55)还包括在主表面(65)上延伸的电绝缘层(60)，绝缘层(60)在基板(55)和覆盖层(45)之间形成势垒，以及

-针对侧面(75)的每个点，定义了与穿过该点并垂直于侧面(75)的方向对应的轴线(A)，并且其中垂直于基板(55)的第一方向(D)和轴线(A)之间的角度(α)为30-80度。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的发射器，其中至少满足以下特性之一：

-第一半导体材料和第二半导体材料中的至少一个是III族氮化物材料，以及

-针对第一半导体材料定义了晶体结构，所述晶体结构具有至少一个极性方向和至少一个半极性方向，上表面(70)垂直于极轴，针对侧面(75)的每个点定义了对应于穿过所述点并垂直于侧面(75)的方向的轴线，所述轴线(A)垂直于所述半极性方向。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的发射器，其中至少满足以下特性之一：

-发射器(25)还包括电连接到第一部分(95)的第一电触头(50)，发射器(25)被配置为当电流流过第一电触头(50)、覆盖层(45)和台面(40)时发射第一辐射，第一电触头(50)进一步电连接到第二部分(100)；

-发射器(25)还包括电连接到第一部分(95)的第一电触头(50)，发射器(25)被配置为当电流流过第一电触头(50)、覆盖层(45)和台面(40)时发射第一辐射，第一电触头(50)包括第一连接层和第二势垒层，所述第二势垒层插在所述第一连接层和覆盖层(45)之间，所述第一连接层由第四材料制成，所述第四材料为导电材料或半导体材料，所述第二势垒层由绝缘材料制成，所述覆盖层(45)、所述第二势垒层和所述第一连接层形成隧道结；

-覆盖层(45)包括由第二半导体材料制成的至少两个叠置的辐射发射层(85)，由第三半导体材料制成的第一势垒层(90)插在每对连续的辐射发射层(85)之间，所述第三半导体材料具有第三带隙值，第三带隙值严格地大于第二带隙值，以及

-第一辐射包括第一组电磁波，辐射发射层(85)被配置为发射包括第二组电磁波的第二辐射，发射器(25)还包括辐射转换器(52)，所述辐射转换器被配置为吸收第二辐射并响应于第一辐射而发射，针对每个电磁波定义波长，第一组电磁波对应于第一波长范围，第二组电磁波对应于第二波长范围，第一波长范围具有第一平均波长，以及第二波长范围具有第二平均波长，第一平均波长不同于第二平均波长。