[发明专利]晶体管及形成晶体管的方法

说明书

本发明揭示一种晶体管，其包括一对源极/漏极区域，所述对源极/漏极区域之间具有沟道。晶体管栅极构造是操作地接近所述沟道。所述沟道包括Si_1‑yGey，其中“y”是从0到0.6。所述源极/漏极区域中的每一者的至少一部分包括Si_1‑xGe_x，其中“x”是从0.5到1。本发明还揭示包含方法的其它实施例。

技术领域

本文中所揭示的实施例涉及晶体管及形成晶体管的方法。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路，且用于在计算机系统中存储数据。可将存储器制造成个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(其还可称为位线、数据线或感测线)及存取线(其还可称为字线)来对存储器单元写入或从存储器单元读取。感测线可沿阵列的列导电地互连存储器单元，且存取线可沿阵列的行导电地互连存储器单元。可通过感测线及存取线的组合来唯一地寻址每一存储器单元。

存储器单元可为易失性、半易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可在缺少电力的情况下长时间存储数据。非易失性存储器通常特指具有至少约10年的保存时间的存储器。易失性存储器消耗且因此被刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更短的保存时间。无论如何，存储器单元经配置以将存储保存或存储成至少两个不同可选状态。在二元系统中，将状态视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储信息的两个以上层或状态。

场效应晶体管是可用于存储器单元中的一种类型的电子组件。这些晶体管包括一对导电源极/漏极区域，其之间具有半导电沟道区域。导电栅极相邻于沟道区域且通过薄栅极绝缘体来与沟道区域分离。将合适电压施加到栅极允许电流从源极/漏极区域中的一者流动通过沟道区域而到另一者。当从栅极移除电压时，基本上防止电流流动通过沟道区域。场效应晶体管还可包含额外结构(例如可逆可编程电荷存储区域)作为栅极绝缘体与导电栅极之间的栅极构造的部分。

晶体管可用于除存储器电路之外的电路中。

附图说明

图1是根据本发明的实施例的晶体管的图解横截面图且是穿过图2到4中的线1-1取得的。

图2是穿过图1中的线2-2取得的横截面图。

图3是穿过图1中的线3-3取得的横截面图。

图4是穿过图1中的线4-4取得的横截面图。

图5是根据本发明的实施例的晶体管的图解横截面图。

图6是根据本发明的实施例的晶体管的图解横截面图。

图7是根据本发明的实施例的晶体管的图解横截面图。

图8是根据本发明的实施例的晶体管的图解横截面图。

图9是根据本发明的实施例的晶体管的图解横截面图。

图10是根据本发明的实施例的晶体管的图解横截面图。

图11是根据本发明的实施例的晶体管的图解横截面图且是穿过图12中的线11-11取得的。

图12是穿过图11中的线12-12取得的横截面图。

具体实施方式