[发明专利]用于制造包括基于氧化钒的敏感材料的微测辐射热计的方法

权利要求书

1.一种用于制造包括敏感材料(15)的至少一个微测辐射热计(10)的方法，所述方法允许至少限制所述敏感材料(15)的噪声劣化，

●所述敏感材料(15)由基于氧化钒(VO_x)的第一化合物和选自硼(B)、碳(C)的附加化学元素形成，氮(N)除外；

●所述方法包括以下步骤：

○将所述敏感材料制成薄层的步骤；

○在高于环境温度的温度T_r下将所述敏感材料暴露持续时间Δt_r的步骤，该热暴露步骤在敏感材料的制成步骤之后进行，

■温度T_r和持续时间Δt_r使得非晶并且在环境温度下的电阻率的固有值为1Ω.cm至30Ω.cm、在温度T_r下经受暴露持续时间Δt_r的步骤的所述第一化合物在环境温度下的电阻率小于其固有值的50％；

●所述方法还包括以下步骤：

i.确定添加到所述第一化合物而由此形成改性化合物的附加化学元素(B、C)的非零的所谓的有效量，基于该有效量，在温度T_r下经受了暴露持续时间Δt_r的步骤的所述改性化合物在环境温度下的电阻率ρ_a|r大于或等于其固有值ρ_a的50％；

ii.在将敏感材料(15)制成薄层的所述步骤期间，该敏感材料由所述改性化合物形成，该改性化合物的附加化学元素(B、C)的量大于或等于之前确定的有效量，所述敏感材料(15)是非晶的，在环境温度下的电阻率的固有值ρ_a为1Ω.cm至30Ω.cm，并具有均质的化学成分；

iii.由此，在温度T_r下将敏感材料(15)暴露持续时间Δt_r的所述步骤之后，所述敏感材料(15)具有其劣化已经被至少限制的噪声。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，暴露所述敏感材料(15)的步骤包括沉积覆盖敏感材料的保护层(22)的步骤。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，暴露所述敏感材料(15)的步骤包括沉积对于待检测电磁辐射透明的封装层的步骤，所述封装层旨在限定微测辐射热计所在的腔。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的制造方法，其中，所述温度T_r大于或等于280℃，或者甚至等于310℃，容差为5℃。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的制造方法，其中，所述持续时间Δt_r大于或等于90分钟。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的制造方法，其中，所述敏感材料(15)是在低于温度T_r的温度下制成。

7.一种微测辐射热计(10)，其包括由基于氧化钒(VO_x)和至少氮作为附加化学元素的第一化合物制成的敏感材料(15)，其特征在于，所述敏感材料(15)：

○是非晶的；

○在环境温度下的电阻率为1Ω.cm至30Ω.cm；

○具有均质化学成分；以及

○具有至少等于0.086的硼量和/或至少等于0.063的碳量，所述硼量定义为硼原子数与钒原子数的比值，所述碳量定义为碳原子数与钒原子数的比值。

8.根据权利要求7所述的微测辐射热计(10)，其中，定义为氧原子数与钒原子数的比值的氧量为1.42至1.94，容差为正负0.05。

9.根据权利要求7或8所述的微测辐射热计(10)，其中，所述敏感材料(15)被由氮化硅制成的保护层(22)覆盖。

10.一种电磁辐射检测设备(1)，其包括根据权利要求7至9中任一项所述的微测辐射热计的矩阵，所述微测辐射热计(10)被设置在至少一个气密腔中，所述气密腔由对于待检测电磁辐射透明的封装结构限定，所述封装结构包括由非晶硅制成的至少一层。

11.根据权利要求10所述的检测装置(1)，其包括位于所述气密腔中的吸气材料。