[发明专利]使用高压退火的接缝弥合在审
| 申请号： | 201980012399.6 | 申请日： | 2019-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111699549A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 陈一宏;程睿;P·曼纳;A·B·玛里克;江施施;巫勇;K·莱斯彻基什;S·冈迪科塔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 高压 退火 接缝 弥合 | ||
1.一种处理基板的方法，包括：
将所述基板定位在处理腔室中，所述基板具有多个基板特征；
在所述基板特征上沉积共形层，使得在相邻基板特征之间形成接缝；以及
在存在氧化剂时，用在约1巴到约70巴的压力下执行的高压退火来处理所述基板，使得在所述共形层内的所述接缝的体积减小。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化剂包括蒸汽。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述共形层包括硅层、金属层、金属氧化物层、或它们的组合。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个基板特征包括沟槽。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述多个基板特征上沉积共形层包括化学气相沉积。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述沉积所述共形层包括使前驱物流入所述处理腔室，其中所述前驱物包括硅和氢。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述共形层的体积在所述高压退火期间膨胀。
8.一种处理基板的方法，包括：
将所述基板定位在处理腔室中，所述基板具有多个基板特征；
在所述基板特征上沉积共形层，使得在相邻基板特征之间形成接缝，其中所述共形层的结构是结晶的；以及
在存在氧化剂时用高压退火处理所述基板，使得在所述共形层内的所述接缝的体积减小。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述处理所述基板导致设置在所述基板特征上的共形层与设置在所述相邻基板特征上的共形层化学反应。
10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，执行所述高压退火达约5分钟到约120分钟的时间，并且其中在约1巴到约70巴的压力下执行所述高压退火。
11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述共形层包括硅层、金属层、金属次氧化物层、或它们的组合。
12.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述多个基板特征包括沟槽。
13.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述多个基板特征上沉积共形层包括化学气相沉积。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述沉积所述共形层包括使前驱物流入所述处理腔室，其中所述前驱物包括硅和氢。
15.一种处理基板的方法，包括：
将所述基板定位在处理腔室中，所述基板具有多个基板特征；
在所述基板特征上沉积共形层，使得在相邻基板特征之间形成接缝，其中所述共形层的结构是结晶的；以及
在存在氧化剂时，用在约1巴到约70巴的压力下执行的高压退火来处理所述基板，使得在所述共形层内的所述接缝的体积减小，其中所述共形层的体积在所述高压退火期间膨胀。
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