[发明专利]半导体存储装置、半导体存储装置的制造方法及电子装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

场效应晶体管，设置在半导体衬底的有源区域中；

铁电电容器，包括夹着铁电膜的第一电容器电极和第二电容器电极，所述第一电容器电极电连接到所述场效应晶体管的源极或漏极中的一个；

源极线，电连接到所述铁电电容器的所述第二电容器电极；以及

位线，电连接到所述场效应晶体管的源极或漏极中的另一个，

其中，所述场效应晶体管的栅极电极在跨越所述有源区域的第一方向上延伸，并且所述源极线和所述位线在与所述第一方向正交的第二方向上延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述有源区域被设置为在与所述第一方向和所述第二方向两者倾斜地交叉的第三方向上延伸的带状形状。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中，所述有源区域通过设置在所述半导体衬底上的元件分离层而彼此分离。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述栅极电极电连接到字线。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

其中，掩埋所述场效应晶体管的平坦化膜被设置在所述半导体衬底上，以及

所述铁电电容器设置在所述平坦化膜中设置的开口的内部。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中，所述铁电电容器包括沿着所述开口的底面和侧面设置的所述第一电容器电极、沿着所述开口的形状设置在所述第一电容器电极上的所述铁电膜以及设置在所述铁电膜上以填充所述开口的所述第二电容器电极。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中，所述第一电容器电极被设置为从所述平坦化膜中的所述开口的开口面下凹。

8.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中，所述铁电电容器设置在所述有源区域上。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中，所述铁电电容器设置在与所述场效应晶体管的源极或漏极中的一个相对应的所述有源区域上。

10.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中，所述源极线和所述位线设置在同一层中。

11.根据权利要求5所述的半导体存储装置，

其中，所述位线设置在所述平坦化膜上设置的层间绝缘膜的内部，以及

所述开口被设置为从所述层间绝缘膜穿透直到所述半导体衬底的表面。

12.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中，所述开口被设置为从所述平坦化膜穿透直到所述半导体衬底的内部。

13.一种半导体存储装置的制造方法，所述制造方法包括：

在半导体衬底的有源区域中形成场效应晶体管，以使得所述场效应晶体管的栅极电极在跨越所述有源区域的第一方向上延伸；

形成铁电电容器，所述铁电电容器包括夹着铁电膜的第一电容器电极和第二电容器电极，所述第一电容器电极与所述场效应晶体管的源极或漏极中的一个电连接；以及

形成源极线和位线，所述源极线与所述铁电电容器的所述第二电容器电极电连接，所述位线电连接到所述场效应晶体管的源极或漏极中的另一个，以使得所述源极线和所述位线在与所述第一方向正交的第二方向上延伸。

14.一种电子装置，包括：

半导体存储装置，包括

场效应晶体管，设置在半导体衬底的有源区域中，

铁电电容器，包括夹着铁电膜的第一电容器电极和第二电容器电极，所述第一电容器电极电连接到所述场效应晶体管的源极或漏极中的一个，

源极线，电连接到所述铁电电容器的所述第二电容器电极，以及

位线，电连接到所述场效应晶体管的源极或漏极中的另一个，

其中，在所述半导体存储装置中，所述场效应晶体管的栅极电极在跨越所述有源区域的第一方向上延伸，并且所述源极线和所述位线在与所述第一方向正交的第二方向上延伸。