[发明专利]拒水性保护膜形成剂和拒水性保护膜形成用化学溶液

权利要求书

1.一种拒水性保护膜形成剂，其是用于在包含硅元素的晶片的表面形成拒水性保护膜的拒水性保护膜形成剂，所述拒水性保护膜形成剂为选自由下述通式[1]所示的胍衍生物和下述通式[2]所示的脒衍生物组成的组中的至少1种硅化合物，

式[1]、[2]中，R¹分别相互独立地选自氢原子、-C≡N基、-NO₂基和一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的烃基，所述烃基任选具有氧原子和/或氮原子；R²分别相互独立地为一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1～18的一价烃基；a为1～3的整数；b为0～2的整数；a与b的总计为3。

2.根据权利要求1所述的拒水性保护膜形成剂，其中，所述通式[1]和[2]中，b为0。

3.根据权利要求2所述的拒水性保护膜形成剂，其中，所述通式[1]和[2]中，3个R²之中的至少2个为甲基。

4.根据权利要求1所述的拒水性保护膜形成剂，其中，所述通式[1]和[2]的R¹分别相互独立地为选自由氢原子、碳原子数1～6的烷基和碳原子数1～6的烷氧基组成的组中的基团。

5.根据权利要求1所述的拒水性保护膜形成剂，其中，所述硅化合物接受质子时副产的化合物在25℃、1.0个大气压下为液体。

6.根据权利要求1所述的拒水性保护膜形成剂，其中，所述硅化合物为所述通式[1]所示的化合物。

7.根据权利要求6所述的拒水性保护膜形成剂，其中，所述硅化合物是所述通式[1]中的R¹均为甲基、a为3、b为0，3个R²之中的2个为甲基、剩余的R²为一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1～18的一价烃基的化合物。

8.一种拒水性保护膜形成用化学溶液，其是将权利要求1～7中任一项所述的拒水性保护膜形成剂溶解于有机溶剂而得的。

9.根据权利要求8所述的拒水性保护膜形成用化学溶液，其中，所述拒水性保护膜形成剂相对于该拒水性保护膜形成剂与所述有机溶剂的总量100质量％的浓度为0.01～25质量％。

10.根据权利要求8所述的拒水性保护膜形成用化学溶液，其中，所述有机溶剂为非质子性溶剂。

11.根据权利要求8所述的拒水性保护膜形成用化学溶液，其中，制备所述拒水性保护膜形成用化学溶液之前的、所述拒水性保护膜形成剂与所述有机溶剂中包含的水分的总量相对于该拒水性保护膜形成剂与有机溶剂的总量为5000质量ppm以下。

12.一种包含硅元素的晶片的表面处理方法，其中，以液体状态使用权利要求1～7中任一项所述的拒水性保护膜形成剂。

13.一种包含硅元素的晶片的表面处理方法，其使用权利要求8所述的拒水性保护膜形成用化学溶液。