[发明专利]装饰复合体有效
| 申请号： | 201980012862.7 | 申请日： | 2019-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN111712397B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | A·莱拜尔;J·韦尔登韦伯;C·梅格莱;D·尼森 | 申请（专利权）人： | D.施华洛世奇两合公司 |
| 主分类号： | B60K37/06 | 分类号： | B60K37/06;H03K17/96;A44C17/00 |
| 代理公司： | 北京市路盛律师事务所 11326 | 代理人： | 金钦华;李宓 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 装饰 复合体 | ||
1.一种装饰元件，其特征在于，所述装饰元件包括具有正面和背面的琢面透明体，以及在所述琢面透明体的至少部分背面上的涂层，其中所述涂层包括半导体材料反射层和在所述反射层上的漆层，使得所述反射层位于所述漆层和所述琢面透明体之间，并且其中所述半导体材料反射层具有至少250nm的厚度。
2.根据权利要求1所述的装饰元件，其特征在于，所述反射层具有不均匀的厚度，并且所述反射层的可见光反射光谱不根据所述反射层的所述厚度变化。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的装饰元件，其特征在于，所述琢面透明体包括非平面的背面。
4.根据权利要求3所述的装饰元件，其特征在于，所述琢面透明体的所述背面包括琢面。
5.根据权利要求1或权利要求2所述的装饰元件，其特征在于，所述反射层具有至少400nm的厚度。
6.根据权利要求1或权利要求2所述的装饰元件，其特征在于，所述反射层具有至少500nm的厚度。
7.根据权利要求1或权利要求2所述的装饰元件，其特征在于，所述反射层具有至少600nm的厚度。
8.根据权利要求1或权利要求2所述的装饰元件，其特征在于，所述反射层具有至少800nm的厚度。
9.根据权利要求1或权利要求2所述的装饰元件，其特征在于，所述反射层具有至少1000nm的厚度。
10.根据权利要求1或权利要求2所述的装饰元件，其特征在于，所述反射层具有至多2000nm的厚度。
11.根据权利要求1或权利要求2所述的装饰元件，其特征在于，所述反射层具有至多1500nm的厚度。
12.根据权利要求1或权利要求2所述的装饰元件，其特征在于，所述反射层具有至多1200nm的厚度。
13.根据权利要求1或权利要求2所述的装饰元件，其特征在于，所述反射层具有至多1000nm的厚度。
14.根据权利要求1或权利要求2所述的装饰元件，其特征在于，所述反射层具有至多800nm的厚度。
15.根据权利要求1或权利要求2所述的装饰元件，其特征在于，所述反射层包括硅或锗。
16.根据权利要求15所述的装饰元件，其特征在于，所述反射层由硅或锗组成。
17.根据权利要求1或权利要求2所述的装饰元件，其特征在于，所述反射层在室温下具有低电导率，和/或其中所述琢面透明体由一种或多种具有低电导率的材料制成。
18.根据权利要求17所述的装饰元件，其特征在于，所述低电导率是：在20℃下小于3S/m。
19.根据权利要求17所述的装饰元件，其特征在于，所述低电导率是：在20℃下小于2.5S/m。
20.根据权利要求17所述的装饰元件，其特征在于，所述低电导率是：在20℃下小于2.2S/m。
21.根据权利要求17所述的装饰元件，其特征在于，所述低电导率是：在20℃下小于2.0S/m。
22.根据权利要求17所述的装饰元件，其特征在于，所述低电导率是：在20℃下小于1.6S/m。
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