[发明专利]晶片清洗装置有效
申请号: | 201980013114.0 | 申请日: | 2019-03-11 |
公开(公告)号: | CN111712909B | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 河世根 | 申请(专利权)人: | 爱思开矽得荣株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 梁倩;马芬 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 清洗 装置 | ||
1.一种晶片清洗装置,所述晶片清洗装置包括:
包含清洗溶液的清洗槽,其中,所述清洗溶液在包含晶片的晶盒浸入时溢出;
多个提升部件,所述多个提升部件被设置在所述清洗槽的外部并且将晶盒浸入到所述清洗槽内部的所述清洗溶液中;
外部水槽,所述外部水槽容纳所述清洗槽和所述提升部件并具有排放孔,所述清洗溶液通过所述排放孔排出;以及
托盘,所述托盘能够从所述外部水槽的内底表面上拆下并收集所述清洗溶液,以将所述清洗溶液引导至所述排放孔,
其中,所述托盘设置有用于支撑所述清洗槽的支撑件以及安装孔,所述提升部件穿过所述安装孔,并且所述托盘设置有从所述安装孔中的每个安装孔向上突出的多个内侧壁,以与所述支撑件和所述提升部件中的一个接触,
其中,所述内侧壁形成为低于所述支撑件的高度。
2.根据权利要求1所述的晶片清洗装置,其中,所述托盘被设置成使得布置在所述外部水槽的排放孔内的排放口向下突出。
3.根据权利要求2所述的晶片清洗装置,其中,所述托盘设置有从与所述外部水槽的内表面接触的圆周部分向上突出的外侧壁,所述外侧壁形成为低于所述支撑件的高度。
4.根据权利要求2所述的晶片清洗装置,其中,所述托盘被构造成朝向所述排放口向下倾斜。
5.根据权利要求1所述的晶片清洗装置,所述晶片清洗装置进一步包括第一引导部分,所述第一引导部分被设置在所述外部水槽的内表面与所述托盘之间,并且将滴落在所述外部水槽的内侧表面上的所述清洗溶液引导至所述托盘。
6.根据权利要求5所述的晶片清洗装置,其中,所述第一引导部分螺栓连接至所述外部水槽的下部部分的内表面。
7.根据权利要求5所述的晶片清洗装置,其中,所述第一引导部分被构造成杆状形状,所述杆状形状具有用于引导所述清洗溶液向下流动的倾斜表面。
8.根据权利要求5所述的晶片清洗装置,其中,所述第一引导部分由非金属材料制成。
9.根据权利要求1所述的晶片清洗装置,所述晶片清洗装置进一步包括第二引导部分,所述第二引导部分被设置在所述提升部件的圆周表面与所述托盘之间,并且将滴落在所述提升部件的圆周表面上的所述清洗溶液引导至所述托盘。
10.根据权利要求9所述的晶片清洗装置,其中,所述第二引导部分螺栓连接至所述提升部件的下部部分的圆周表面。
11.根据权利要求9所述的晶片清洗装置,其中,所述第二引导部分被构造成圆柱形形状并且引导所述清洗溶液向下流动,所述圆柱形形状具有围绕所述提升部件的下部部分的倾斜表面。
12.根据权利要求9所述的晶片清洗装置,其中,所述第二引导部分由非金属材料制成。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的晶片清洗装置,其中,所述托盘由非金属材料制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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