[发明专利]提供电流补偿的系统和装置

权利要求书

1.一种装置，其包括：

第一电流路径，其包含第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管包含第一栅极、第一漏极和第一源极，所述第二晶体管包含第二栅极、第二漏极和第二源极，所述第一漏极耦合至所述第二漏极；

第二电流路径，其包含第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管包含第三栅极、第三漏极和第三源极，所述第四晶体管包括第四栅极、第四漏极和第四源极，所述第三源极耦合至所述第一源极和所述第三栅极，所述第三漏极耦合至所述第四漏极，所述第四源极耦合至所述第四栅极和所述第二源极；以及

电流镜，其包含第五晶体管和第六晶体管，所述第五晶体管包括第五栅极、第五漏极和第五源极，所述第六晶体管包括第六栅极、第六漏极和第六源极，所述第五漏极耦合至所述第三漏极、所述第六栅极和所述第五栅极，所述第六漏极耦合至所述第二漏极，所述第五源极耦合至所述第六源极和所述第四源极，其中所述第一晶体管和所述第三晶体管之间存在第一比率，所述第二晶体管和所述第四晶体管之间存在第二比率，并且所述第五晶体管和所述第六晶体管之间存在第三比率，所述第三比率大于或等于所述第二比率，所述第二比率大于或等于所述第一比率。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管和所述第三晶体管是PMOS晶体管，并且所述第二晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管是NMOS晶体管。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一比率基于所述第一晶体管的第一沟道宽度和所述第三晶体管的第二沟道宽度，所述第二比率基于所述第二晶体管的第三沟道宽度和所述第四晶体管的第四沟道宽度，所述第三比率基于所述第五晶体管的第五沟道宽度和所述第六晶体管的第六沟道宽度。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一电流路径耦合至所述第二电流路径和所述电流镜。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二电流路径耦合至所述第一电流路径和所述电流镜。

6.一种装置，其包括：

调节器，其被配置为使用第一晶体管和第二晶体管调节通过功率转换器的电流的流动；

传感器，其被配置为：

检测与所述第一晶体管相关联的第一电流和与所述第二晶体管相关联的第二电流，其中所述第一电流经由电流镜像配置由第三晶体管检测，并且所述第二电流经由所述电流镜像配置由第四晶体管检测；并且

确定所述第一电流与所述第二电流之间的差；以及

自适应补偿电路，其被配置为基于所述第一电流与所述第二电流之间的所述差调整通过所述功率转换器的输出的第三电流。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述第一电流是第一泄漏电流，并且所述第二电流是第二泄漏电流。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述第一泄漏电流是从所述第一晶体管的第一漏极流出的第一电流，并且所述第二泄漏电流是流入所述第二晶体管的第二漏极的第二电流。

9.根据权利要求6所述的装置，其中所述调整是从所述功率转换器的所述输出中扣除所述第一电流与所述第二电流之间的所述差。

10.根据权利要求6所述的装置，其中所述自适应补偿电路提高所述功率转换器的效率。

11.根据权利要求6所述的装置，其中当所述第一晶体管和所述第二晶体管关断时，所述自适应补偿电路可以调整所述第三电流。