[发明专利]二次电池的异常判断装置

权利要求书

1.一种二次电池(2)的异常判断装置(1)，包括：

内部电阻计算部(71)，所述内部电阻计算部对在所述二次电池的充放电反应中负极(21)的反应电阻起支配作用的负极反应电阻支配区域中的内部电阻(R)进行计算；

阈值存储部(61)，所述阈值存储部存储有容量平衡阈值(R1)，所述容量平衡阈值是用于对所述二次电池中的正极的容量与负极的容量之间的平衡是否异常进行判断的基准；

容量平衡比较部(72)，所述容量平衡比较部对由所述内部电阻计算部检测出的内部电阻与存储在所述阈值存储部中的容量平衡阈值进行比较；

异常判断部(73)，所述异常判断部基于所述容量平衡比较部的比较结果，对所述二次电池中的容量平衡的异常进行判断；

恒定电流施加部(82)，所述恒定电流施加部对所述二次电池施加脉冲电流，从而使所述二次电池充放电；

电流值检测部(41)，所述电流值检测部对所述二次电池中的电流值进行检测；以及

电压值检测部(42)，所述电压值检测部对所述二次电池中的电压值进行检测，

所述内部电阻计算部基于由所述电流值检测部检测出的电流值和由所述电压值检测部检测出的电压值，对所述负极反应电阻支配区域中的内部电阻进行计算。

2.如权利要求1所述的二次电池的异常判断装置，其特征在于，

所述异常判断部在所述容量平衡比较部的比较结果表示为由所述内部电阻计算部计算出的内部电阻比存储在所述阈值存储部中的容量平衡阈值大时，判断为所述容量平衡是异常的。

3.如权利要求1或2所述的二次电池的异常判断装置，其特征在于，具有：

要否基准值存储部(62)，所述要否基准值存储部存储有要否基准值，该要否基准值是用于对是否需要解除记忆效应进行判断的基准；

记忆效应比较部(74)，所述记忆效应比较部将由所述内部电阻计算部计算出的内部电阻与存储在所述要否基准值存储部中的要否基准值进行比较；

记忆效应判断部(75)，所述记忆效应判断部基于所述记忆效应比较部的比较结果，对是否需要解除所述二次电池中的记忆效应进行判断；以及

记忆效应解除部(81)，所述记忆效应解除部对所述二次电池的记忆效应进行解除，

所述记忆效应解除部在所述记忆效应判断部判断为需要解除记忆效应的情况下，在所述异常判断部对所述异常进行判断之前解除所述二次电池的记忆效应。

4.如权利要求3所述的二次电池的异常判断装置，其特征在于，

所述记忆效应判断部在所述记忆效应比较部的比较结果表示为由所述内部电阻计算部计算出的内部电阻比存储在所述要否基准值存储部中的要否基准值小时，判断为需要解除所述二次电池中的记忆效应。

5.如权利要求3所述的二次电池的异常判断装置，其特征在于，

所述记忆效应判断部构成为在由所述记忆效应解除部实施了记忆效应的解除之后，再次对是否需要解除所述二次电池中的记忆效应进行判断。

6.如权利要求3所述的二次电池的异常判断装置，其特征在于，

所述记忆效应解除部构成为，使所述二次电池放电到所述二次电池的电池电压为规定值以下以解除所述记忆效应。

7.如权利要求1或2所述的二次电池的异常判断装置，其特征在于，具有：

温度检测部(43)，所述温度检测部对所述二次电池的温度进行检测；以及

阈值校正部(76)，所述阈值校正部基于由所述温度检测部检测出的温度，对存储在所述阈值存储部中的容量平衡阈值进行校正并对校正容量平衡阈值(R1’)进行计算，

所述容量平衡比较部将所述内部电阻与所述校正容量平衡阈值进行比较。