[发明专利]载流子寿命测定方法及载流子寿命测定装置

权利要求书

1.一种载流子寿命测定方法，其中，

是测量测定对象物中的载流子寿命的方法，其具备：

照射步骤，其朝向所述测定对象物，照射测量光、及以多个频率进行强度调制所得的刺激光；

输出步骤，其检测来自所述测定对象物的反射光或透过光的强度并输出检测信号；及

产生步骤，其检测相对于包含所述多个频率中的对应于测量对象区域的杂质浓度的频率的调制信号的所述检测信号的相位延迟，并基于所述相位延迟，产生表示所述测定对象物中的载流子寿命的分布的图像数据。

2.如权利要求1所述的载流子寿命测定方法，其中，

在所述照射步骤中，照射通过矩形波进行强度调制所得的所述刺激光。

3.如权利要求1所述的载流子寿命测定方法，其中，

在所述照射步骤中，照射以多个既定频率的每一者进行强度调制所得的所述刺激光，

在所述输出步骤中，输出对应于每个所述刺激光的所述检测信号。

4.如权利要求1至3中任一项所述的载流子寿命测定方法，其中，

进一步具备预先确定出所述测定对象物中的包含不良部位的区域的确定步骤，

在所述照射步骤中，朝向所述区域照射所述反射光及所述刺激光，

在所述输出步骤中，以所述区域为对象输出所述检测信号。

5.如权利要求1至4中任一项所述的载流子寿命测定方法，其中，

在所述产生步骤中，检测相对于包含对应于预先输入的杂质浓度信息的频率的调制信号的所述相位延迟。

6.如权利要求1至5中任一项所述的载流子寿命测定方法，其中，

在所述照射步骤中，照射具有较所述测定对象物的带隙能量高的能量的刺激光。

7.如权利要求1至6中任一项所述的载流子寿命测定方法，其中，

所述测定对象物为半导体器件。

8.一种载流子寿命测定装置，其中，

是测量测定对象物的载流子寿命的装置，其具备：

第1光源，其产生测量光；

第2光源，其产生刺激光；

调制部，其以多个频率对所述刺激光进行强度调制；

光检测器，其检测来自所述测定对象物的反射光或透过光的强度并输出检测信号；

光学系统，其将所述测量光及经强度调制的所述刺激光朝向所述测定对象物导引，并将来自所述测定对象物的反射光或透过光朝向所述光检测器导引；及

解析部，其检测相对于包含所述多个频率中的对应于测量对象区域的杂质浓度的频率的调制信号的所述检测信号的相位延迟，并基于所述相位延迟，产生表示所述测定对象物中的载流子寿命的分布的图像数据。

9.如权利要求8所述的载流子寿命测定装置，其中，

所述调制部通过矩形波对所述刺激光进行强度调制。

10.如权利要求8所述的载流子寿命测定装置，其中，

所述第2光源产生通过所述调制部以多个既定频率的每一者进行强度调制所得的所述刺激光，

所述光检测器对应于每个所述刺激光输出所述检测信号。

11.如权利要求8至10中任一项所述的载流子寿命测定装置，其中，

所述解析部检测相对于包含对应于预先输入的杂质浓度信息的频率的调制信号的所述相位延迟。

12.如权利要求8至11中任一项所述的载流子寿命测定装置，其中，

所述第2光源照射具有较所述测定对象物的带隙能量高的能量的刺激光。