[发明专利]接合基板、声表面波元件、声表面波元件设备和接合基板的制造方法

说明书

本发明的接合基板具有以与晶体X轴交叉的角度被切割的水晶基板、和在所述水晶基板上进行层叠的压电基板，优选为水晶基板的切割角度相对于晶体X轴具有85～95度的范围的角度，优选为水晶基板的声表面波传播方向相对于晶体Y轴具有15～50度的角度，作为压电基板，优选为使用铌酸锂或钽酸锂，优选为压电基板具有厚度h相对于声表面波的波长λ具有0.02～0.11λ的关系。

技术领域

本发明涉及利用了声表面波的接合基板、声表面波元件、声表面波元件设备和接合基板的制造方法。

背景技术

伴随着移动电话等移动体通信设备的发展，对于声表面波(Surface AcousticWave:SAW)设备也要求高性能化。特别地，为了高频化、宽屏带化，要求高速、高耦合的SAW模式以及防止通频带因温度变化而移动的具有优异的温度特性的SAW基板。

此外，漏声表面波(Leaky SAW:也被称为LSAW等)、纵向型漏声表面波(Longtitudinal-type Leaky SAW:也被称为LLSAW等)具有优异的相位速度，是有利于SAW设备的高频化的传播模式之一。然而，存在具有较大的传播衰减的问题。

例如，专利文献1中提出了如下技术：在铌酸锂基板表面附近形成质子交换层之后，仅在表层形成反质子交换层，由此来减少因LLSAW的反射波发射而引起的损耗。

作为降低LLSAW的损耗的方法，在非专利文献1、非专利文献2中也尝试了对基板方位、电极膜厚进行最优化。

专利文献2中，记载了利用有机薄膜层来对SAW传播基板和支承基板进行粘接而成的设备。传播基板例如是厚度30μm的钽酸锂基板，利用厚度15μm的有机粘接剂将其与厚度300μm的玻璃基板相贴合。

专利文献3中也记载了利用粘接剂使钽酸锂基板(厚度：125μm)和石英玻璃基板(厚度：125μm)相贴合而成的SAW设备。

专利文件4中报告了如下情况：关于钽酸锂基板与支承基板的粘接，通过使有机粘接层薄层化来改善温度特性。

然而，利用专利文献1～4中所示的材料，未充分地解决传播衰减较大这一问题。

本申请的发明人在非专利文献3～5中明确了如下情况：在水晶基板与压电基板的接合中，传播衰减降低。

例如，在非专利文献3中，对于声表面波(SAW)设备，在ST切割水晶与LiTaO₃(LT)的直接接合中使用非晶SiO₂(α-SiO₂)中间层来进行接合。

在非专利文献4中，提出了将X切割31°Y传播的钽酸锂和X切割36°Y传播的铌酸锂与AT切割水晶相接合来提高电气机械耦合系数的LLSAW。

在非专利文献5中，通过LiTaO₃或者LiNbO₃薄板与水晶基板之间的接合来实现纵向型漏声表面波的高耦合化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2013-30829号公报

专利文献2：日本专利特开2001-53579号公报

专利文献3：日本专利特开2006-42008号公报

专利文献4：日本专利特开2011-87079号公报

非专利文献

非专利文献1：“GHz-band surface acoustic wave devices using the secondleaky mode(使用第二泄漏模式的GHz频段声表面波设备)”，Appl.Phis.，vol.36，no9B，pp.6083-6 087，1997.