[发明专利]用于将图案转移到层的方法在审
申请号: | 201980013826.2 | 申请日: | 2019-02-28 |
公开(公告)号: | CN111727490A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 菊地有希;和田利治;前川薰;高明辉 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/768;H01L21/324;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/311 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陈炜;李德山 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 图案 转移 方法 | ||
1.一种蚀刻衬底的方法,该方法包括:
在该衬底上提供第一层;
在该衬底上提供具有第一图案的第一图案化层;
在该第一图案化层与该第一层之间提供一个或多个中间层,至少一个中间层是第一热分解层;
蚀刻该第一层以在该第一层中形成该第一图案;以及
通过向该第一热分解层施加热能来去除该第一热分解层,
其中,蚀刻该衬底的方法是多重图案化工艺,该多重图案化工艺包括重复蚀刻该第一层以在该第一层中形成多个图案。
2.如权利要求1所述的方法,其中,该第一热分解层是通过施加热能来解聚的材料。
3.如权利要求1所述的方法,其中,该第一热分解层通过400℃或更低的热处理来解聚。
4.如权利要求3所述的方法,其中,该第一热分解层通过260℃或更低的热处理来解聚。
5.如权利要求1所述的方法,其中,该第一热分解层由尿素键合树脂组成。
6.如权利要求1所述的方法,其中,该方法包括形成第二热分解层并通过向该第二热分解层施加热能来去除该第二热分解层。
7.如权利要求6所述的方法,其中,该第一层是记忆层。
8.一种图案化衬底的方法,该方法包括:
向该衬底提供包括光刻胶图案化层、第一热分解层以及记忆层的结构,该光刻胶图案化层的图案包括线、间隔和/或过孔;
对该图案的间隔和/或过孔进行到该记忆层的图案转移,同时将该图案的线保留在该第一热分解层上;以及
执行第一热处理工艺以去除该第一热分解层的任何剩余部分。
9.如权利要求8所述的方法,其中,该第一热分解层是通过施加热能来解聚的材料。
10.如权利要求8所述的方法,其中,该第一热分解层由尿素键合树脂组成。
11.如权利要求8所述的方法,其中,图案化该衬底的方法是多重图案化工艺,该多重图案化工艺包括将多于一个的图案转移到该记忆层。
12.如权利要求11所述的方法,其中,该方法包括形成第二热分解层并通过使用第二热处理工艺来去除该第二热分解层。
13.如权利要求12所述的方法,其中,该第一热分解层和该第二热分解层均是平坦化层。
14.如权利要求8所述的方法,其中,该第一热分解层是平坦化层。
15.一种多重图案化衬底的方法,该方法包括:
向该衬底提供包括第一图案化层的结构,该第一图案化层具有第一图案;
提供记忆层;
在该第一图案化层与该记忆层之间提供第一热分解层,该第一热分解层是第一平坦化层;
执行第一图案转移以将该第一图案转移到该记忆层;
通过向该第一热分解层施加热能来去除该第一热分解层;
在去除该第一热分解层之后,提供第二热分解层,其中,该第二热分解层是第二平坦化层;
提供第二图案化层,使得该第二热分解层位于该第二图案化层与该记忆层之间,其中,该第二图案化层具有第二图案;
执行第二图案转移以将该第二图案转移到该记忆层;以及
通过向该第二热分解层施加热能来去除该第二热分解层。
16.如权利要求15所述的方法,其中,该第一热分解层和该第二热分解层均包括通过施加热能来解聚的材料。
17.如权利要求16所述的方法,其中,该第一热分解层和该第二热分解层均通过300℃或更低的热处理来解聚。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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