[发明专利]用于制造游丝的方法有效
申请号: | 201980013834.7 | 申请日: | 2019-02-21 |
公开(公告)号: | CN111758077B | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 米歇尔·德斯庞特;弗雷德里克·科勒;奥利维尔·汉兹克尔;让-露丝·柏凯丽 | 申请(专利权)人: | 瑞士CSEM电子显微技术研发中心 |
主分类号: | G04D3/00 | 分类号: | G04D3/00;G04B17/06 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 赵赫;张澜 |
地址: | 瑞士纳*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 游丝 方法 | ||
1.一种用于制造至少一个游丝(5)的方法,包括以下连续的步骤:
a)提供基板(1),所述基板在平面(P)中延伸并承载平行于所述平面(P)的第一层(2),
b)在所述第一层(2)中形成至少一个通孔(3),
c)在所述第一层(2)上沉积第二层(4),所述第二层(4)填充所述至少一个通孔(3)以形成至少一个材料桥(7),
d)在由所述第二层(4)或所述基板(1)构成的蚀刻层(6a)中蚀刻至少一个游丝(5),所述第二层(4)和所述基板(1)中的未蚀刻所述至少一个游丝(5)的一个形成支撑件(6b),所述至少一个材料桥(7)将所述至少一个游丝(5)垂直于所述平面(P)地连接至所述支撑件(6b),
e)消除所述第一层(2),所述至少一个游丝(5)通过所述至少一个材料桥(7)保持附接至所述支撑件(6b),
f)使所述至少一个游丝(5)经受至少一次热处理,
g)使所述至少一个游丝(5)从所述支撑件(6b)分离。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述热处理或所述热处理中的至少一次在烤炉中实现。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述热处理或所述热处理中的至少一次在至少800℃的温度下进行。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述热处理或所述热处理中的至少一次在至少900℃的温度下进行。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述热处理或所述热处理中的至少一次在至少1000℃的温度下进行。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述热处理或所述热处理中的至少一次在至少1100℃的温度下进行。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述热处理或所述热处理中的至少一次在至少1200℃的温度下进行。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述热处理或所述热处理中的至少一次包括热氧化。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,在所述步骤f)和所述步骤g)之间包括脱氧、热氧化并脱氧的步骤,所述脱氧、热氧化并脱氧的步骤允许减小所述至少一个游丝(5)的尺寸以获得预定刚度。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述热氧化用于在所述至少一个游丝(5)上形成热补偿层(8)。
11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述蚀刻层(6a)由室温下易碎的材料制成。
12.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述蚀刻层(6a)是硅制的或硅基的。
13.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述蚀刻层(6a)是玻璃制的或玻璃基的。
14.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述蚀刻层(6a)是陶瓷制的或陶瓷基的。
15.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述支撑件(6b)是硅制的或硅基的。
16.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一层(2)是氧化硅制的或氧化硅基的。
17.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤b)通过光刻法实现。
18.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤c)通过外延附生实现。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞士CSEM电子显微技术研发中心,未经瑞士CSEM电子显微技术研发中心许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980013834.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。