[发明专利]存储装置及其工作方法在审
| 申请号： | 201980014002.7 | 申请日： | 2019-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN111727501A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 冈本佑树;大贯达也 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;G11C11/4097;H01L27/108;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 装置 及其 工作 方法 | ||
1.一种存储装置，包括：
第一单元阵列；
第二单元阵列；
第一位线对；以及
第二位线对，
其中，所述第一单元阵列与所述第二单元阵列具有互相重叠的区域，
所述第一单元阵列包括Aa个(Aa为1以上的整数)第一存储单元、Ba个(Ba为1以上的整数)第一存储单元、Ca个(Ca为1以上的整数)第一存储单元、Da个(Da为1以上的整数)第一存储单元、Ea个(Ea为1以上的整数)第一存储单元以及Fa个(Fa为1以上的整数)第一存储单元，
所述第二单元阵列包括Ab个(Ab为1以上的整数)第二存储单元、Bb个(Bb为1以上的整数)第二存储单元、Cb个(Cb为1以上的整数)第二存储单元、Db个(Db为1以上的整数)第二存储单元、Eb个(Eb为1以上的整数)第二存储单元以及Fb个(Fb为1以上的整数)第二存储单元，
所述第一位线对中的一个位线与所述Aa个第一存储单元、所述Ca个第一存储单元以及所述Cb个第二存储单元电连接，
所述第一位线对中的另一个位线与所述Ba个第一存储单元、所述Ab个第二存储单元以及所述Bb个第二存储单元电连接，
所述第二位线对中的一个位线与所述Da个第一存储单元、所述Fa个第一存储单元以及所述Fb个第二存储单元电连接，
所述第二位线对中的另一个位线与所述Ea个第一存储单元、所述Db个第二存储单元以及所述Eb个第二存储单元电连接，
所述Da个第一存储单元的一部分与所述Ba个第一存储单元相邻，
所述Da个第一存储单元的另一部分与所述Ca个第一存储单元相邻，
所述Db个第一存储单元的一部分与所述Bb个第一存储单元相邻，
并且，所述Db个第一存储单元的另一部分与所述Cb个第一存储单元相邻。
2.根据权利要求1所述的存储装置，还包括多个所述第一位线对及多个所述第二位线对。
3.根据权利要求1或2所述的存储装置，
其中所述第一存储单元具有第一晶体管及第一电容元件，
并且所述第二存储单元具有第二晶体管及第二电容元件。
4.根据权利要求3所述的存储装置，
其中所述第一晶体管及所述第二晶体管在半导体层中包含氧化物半导体。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的存储装置，其中所述Ca为所述Ba的0.8倍以上且1.2倍以下。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的存储装置，其中所述Ca与所述Ba个数相同。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的存储装置，其中所述Ab为所述Aa的0.8倍以上且1.2倍以下。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的存储装置，其中所述Ba和所述Ca的总和为所述Aa的0.8倍以上且1.2倍以下。
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