[发明专利]基板亲水化处理剂

说明书

本发明提供可提高基板表面相对于光致抗蚀剂的润湿性的基板亲水化处理剂。本发明的基板亲水化处理剂是对待通过光刻法进行图案形成的基板的表面进行亲水化的处理剂，其至少含有下述成分(A)及成分(B)。成分(A)：重均分子量为100以上且小于10000的水溶性低聚物；成分(B)：水。作为成分(A)中的水溶性低聚物，优选下述式(a‑1)表示的化合物。R^a1O‑(C₃H₆O₂)_n‑H(a‑1)(式中，R^a1表示氢原子、任选具有羟基的烃基、或酰基。n为2～60的整数。)。

技术领域

本发明涉及对用于利用光刻进行的图案形成的基板进行亲水化的处理剂、及使用了该基板亲水化处理剂的半导体元件的制造方法。本申请主张在2018年2月22日向日本提出申请的日本特愿2018-029605号的优先权，在此引用其内容。

背景技术

在半导体装置(晶体管、电容器、存储器、发光元件、太阳能电池等)、电子设备(各种显示器等)的制造中，作为在基板上形成电路的方法，可利用例如包含下述工序的光刻法(例如专利文献1)。

[1]在基板上涂布光致抗蚀剂，形成抗蚀涂膜。

[2]隔着描绘有电路图案的光掩模向抗蚀涂膜照射光而印上电路图案。

[3]浸于显影液，将不需要的部分的抗蚀涂膜除去。

[4]利用在显影后也残留于基板上的抗蚀涂膜作为掩模，对基板进行蚀刻。

形成抗蚀涂膜的基板的表面由于光致抗蚀剂的润湿性差、产生凹陷等而难以均匀地形成抗蚀涂膜。另外，基板的表面与抗蚀涂膜之间的密合性也不良。而且，随着伴随着半导体的高集成化的电路图案的微细化的发展，因利用不均的、或密合性不良的抗蚀涂膜而导致的图案精度降低的问题已凸显出来。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-025723号公报

发明内容

发明所要解决的问题

因此，本发明的目的在于提供可提高基板表面相对于光致抗蚀剂的润湿性的基板亲水化处理剂。

本发明的其它目的在于提供通过光刻法制造具有微细且高精度的电路的半导体元件的方法。

解决问题的方法

本发明者为了解决上述问题而进行了深入研究，结果发现，含有下述成分的组合物可以附着于基板的表面而进行亲水化；光致抗蚀剂对于利用上述组合物进行了亲水化后的基板表面显示出良好的润湿性，因此，如果将光致抗蚀剂涂布于上述基板表面，则可得到均匀性及密合性优异的抗蚀涂膜；如果利用这样得到的抗蚀涂膜，则可以切实地形成微细且高精度的电路图案，而在将其用作掩模时，可以在基板表面形成微细且高精度的电路。本发明是基于这些见解而完成的。

即，本发明提供一种基板亲水化处理剂，其是对待通过光刻法进行图案形成的基板的表面进行亲水化的处理剂，该处理剂至少含有下述成分(A)及成分(B)，

成分(A)：重均分子量为100以上且小于10000的水溶性低聚物；

成分(B)：水。

另外，本发明提供上述的基板亲水化处理剂，其中，成分(A)中的水溶性低聚物为下述式(a-1)表示的化合物。

R^a1O-(C₃H₆O₂)_n-H (a-1)