[发明专利]光调制器在审
| 申请号： | 201980014478.0 | 申请日： | 2019-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN111758065A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 开达郎;硴塚孝明;松尾慎治 | 申请（专利权）人： | 日本电信电话株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025;G02B6/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 庄锦军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 调制器 | ||
【权利要求书】：
1.一种光调制器，包括：
下包层，形成在衬底上，折射率等于或小于InP的折射率；
芯，形成在所述下包层上，由带隙与期望波长相对应的基于InP的半导体制成；
上包层，形成在所述芯上，折射率等于或小于InP的折射率；以及
电场施加装置，向所述芯施加电场。
2.根据权利要求1所述的光调制器，其中，所述芯由InGaAsP制成。
3.根据权利要求1或2所述的光调制器，其中，所述下包层和所述上包层由氧化硅制成。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光调制器，其中，所述电场施加装置包括第一导电类型的第一半导体层和第二导电类型的第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层形成为：所述芯在与所述衬底的平面水平的方向上介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间。
5.根据权利要求4所述的光调制器，其中，所述芯包括第一导电类型的第一芯和第二导电类型的第二芯。
6.根据权利要求5所述的光调制器，其中，以布置在与所述衬底的平面平行的方向上的状态形成所述第一芯和所述第二芯。
7.根据权利要求5所述的光调制器，其中，以堆叠在所述下包层上的状态形成所述第一芯和所述第二芯。
8.根据权利要求7所述的光调制器，其中：
在所述芯的一侧上，所述第一半导体层被形成为仅与所述芯中的所述第一芯接触；以及
在所述芯的另一侧上，所述第二半导体层被形成为仅与所述芯中的所述第二芯接触。
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